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半导体公司推出的一种与SRAM相似但却具有非易失性的随机存储器，它没有BSRAM模组系统的设计复杂性和相关的数据可靠性问题，而且能在掉电的情况下保存数据。FRAM不但克服了EEPROM和FLASH写入时间长、擦写次数低的缺点,同时其成本也比相同容量的锂电池+SRAM方案低很多。
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40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超结MOSFET或者20-30mR的GaN!
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