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细粒度的更新功能:与DDR4相比,任何存储库更新都可以将设备的延迟提高到16 Gbps。通过允许某些存储库与其他存储库同时使用进行更新,同一存储库的自动更新可提供更好的性能。
内置ECC和其他缩放功能允许在高级过程节点上进行批量生产。 与DDR4相比,当Vdd从1.2V降至1.1V时,能效得到改善。 使用的MIPIÒ联盟I3C基本规范的系统管理总线。 在模块级别,DIMM设计中的电压调节器可实现更轻松的可扩展性,更好的电压容限以实现更好的DRAM性能,并有可能进一步降低功耗。 |
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