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该IC采用小型表面贴装式HSOP8封装,通过封装散热焊盘设计,既能节省空间,又能实现良好的散热性能。
主要特性: 宽工作电压范围:4.5V至44V,适用于大电流驱动设备; 低待机电流消耗:1μA(最大值)@VM=24V,Ta=25°C; 采用兼容引脚分配的小型8引脚表面贴装HSOP8封装,并使用底部E型散热焊盘加强散热。 |
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40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超结MOSFET或者20-30mR的GaN!
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