为何N沟道增强型MOS管的漏源电压增大到一定反型层会消失呢？

2023-3-31 15:31:55 1685 MOS管

0 对于N沟道增强型MOS管而言，为何漏源电压增大到一定反型层会消失？此时栅极和衬底间不是仍然有一个正压吗 0
2023-3-31 15:31:55　　评论淘帖0 举报相关推荐 • N沟道-增强型MOS管的问题 3449 • 一个关于N沟道增强型MOS管的问题（很有意思！！） 4466 • 讲解一下N沟道增强型MOS场效应管 4314 • mos管漏极电压增大,为什么沟道变窄 2635 • 8205ST--内置N沟道增强型双MOS管 1862 • 浅析N沟道增强型MOS管双向低频开关电路 3410 • N沟道增强型MOS场效应管的结构与原理 7257 • 如何判定一个MOS晶体管是N沟道型还是P沟道型呢？ 2070 • 增强型MOS管与耗尽型MOS管的区别 27358 • 大功率增强型MOS管漏级尖峰电压的消除方法。 14559 1 个讨论

0 漏源电压高到一定程度（其实就是预夹断之后），UGD的电压会呈现反压，也就是在反型层所在的沟道中出现空间电荷区，ID要从D到S，需要克服一段空间电荷区（耗尽层），这时候，MOSFET呈现得是一种放大状态。但如果UDS继续上升，空间电荷区继续扩张，会逐步挤占反型层的空间，直到反型层（其实反型层也是沟道的一部分）全部被挤占完毕，如果UDS继续上升，则会出现击穿，MOSFET就损坏了。

2023-3-31 15:32:07 评论举报 1^# h1654155275.5614