SAW和BAW滤波器目前仍是主流应用

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SAW和BAW滤波器是目前手机应用的主流滤波器。

采用MEMS工艺生产滤波器仍然存在挑战。MEMS威廉希尔官方网站制造滤波器具有极高的威廉希尔官方网站门槛，在保证高度一致性和高质量的条件下实现大规模量产难度较大。

全球SAW滤波器市场份额前五位的厂商分别为村田(47%)、TDK(21%)、太阳诱电(14%)、Skyworks(9%)、Qorvo(4%)，合计占比达95%。

全球BAW滤波器市场份额前三位分别为博通(87%)、Qorvo(8%)、太阳诱电(3%)，合计占比达98%。

国内SAW滤波器的厂商有麦捷科技、德清华莹(信维通信入股)和好达电子等。

2、功率放大器:GaAsPA仍是主流

PA的作用是将低功率信号进行放大。PA直接决定了手机无线通信的距离、信号质量，甚至待机时间，是射频系统中的重要部分。手机频段持续增加，PA的数量也随之增加。

4G多模多频手机所需PA芯片5~7颗。StrategyAnalytics预计5G时代手机内的PA或多达16颗。

目前GaAsPA是主流。CMOSPA由于性能的原因，只用于低端市场。Qorvo预计随着5G的来临，8GHz以下GaAsPA仍是主流，但8GHz以上GaN有望在手机市场成为主力。

2016年全球PA市场绝大部分份额被Skyworks、Qorvo、Broadcom、Murata占据，四家厂商合计占比达到97%，其中前三家合计占比达到92%。领导厂商Skyworks、Qorvo和Broadcom采用IDM模式。晶圆代工模式也在兴起，主要有***稳懋等。

国内设计公司有近20家，主要有汉天下、唯捷创芯、紫光展锐等。国内晶圆代工厂商主要有三安光电、海特高新。

3、5G带动SOI市场增长

2011年智能手机中还未使用RF-SOI产品。2010年GaAs射频开关是主流威廉希尔官方网站。

RF-SOI产品在性能和功耗相当的情况下将成本下降30%、die尺寸减少50%，在不到5年的时间内替代GaAs开关。

Navian数据显示90%的射频开关和调谐器基于RF-SOI制造。5G时代基于RF-SOI的射频开关使用数量会增加。

尽管射频开关的出货量巨大，但市场竞争激烈，价格压力较大，ASP为10~20美分。目前智能手机中均有RF-SOI产品，未来还将继续增长。

Yole数据显示2016年全球绝缘体上硅(SOI，SiliconOnInsulator)市场规模4.293亿美元，预计2022年将达到18.593亿美元，2017~2022年CAGR=29.1%。市场驱动力主要来自消费电子市场增长带来的需求提升。

Soitec预计2018年整个行业将出货150~160万片等效200mmRF-SOI晶圆，同比增长15%~20%，预计2020年将超过200万片。

SOI衬底大约占硅衬底市场规模6%。2016年200mm的SOI晶圆占据市场主导地位，在2017~2022年仍将有望以较快的速度增长。200mm的晶圆主要用于生产RF-SOI，这是制造智能手机天线开关和其他重要元器件所使用的材料。

2016年RF-SOI占据整个SOI市场最大的份额。按产品类型来看，射频前端占据SOI市场的最大份额。预计未来仍有较大幅度的增长。

厂商希望采用SOI将射频开关和LNA集成到一起，可能会用300mmSOI晶圆实现。SOI威廉希尔官方网站具备集成毫米波PA、LNA、移相器、混频器的潜力。

RF-SOI衬底制造主要有法国Soitec、日本信越、***环球晶圆和上海新傲科技。Soitec是“智能剥离(SmartCut)”威廉希尔官方网站的拥有者，RF-SOI衬底的最大供应商，拥有70%的市场份额。

Soitec生产200mm和300mmRF-SOI晶圆衬底。信越和环球晶圆也基于Soitec的威廉希尔官方网站生产200mm和300mmRF-SOI晶圆衬底。中国新傲科技生产200mmRF-SOI晶圆衬底。

格罗方德、TowerJazz、中芯国际、华虹宏力、台积电和台联电等晶圆代工公司在扩大200mm或300mm晶圆RF-SOI工艺产能。

格罗方德推出300mm晶圆RF-SOI工艺，包括130nm和45nm工艺。中芯宁波将承接中芯国际的RF-SOI或其他SOI工艺威廉希尔官方网站。华虹集团旗下的上海集成电路研发中心进行SOI威廉希尔官方网站开发，华虹宏力的0.2μmRF-SOICMOS工艺已经量产。台积电和台联电计划进军300mmRF-SOI晶圆。

设计公司CavendishKinetics推出了基于RFMEMS威廉希尔官方网站的射频开关和天线调谐器产品，目前也在发展之中，未来可能成为挑战者。

4、射频前端集成化，毫米波带来新机遇

射频前端集成化是必然趋势。集成化可以降低成本、提高性能，以及给系统集成商提供turn-key方案。

在射频前端模块集成上发展更快的厂商有望成为市场的主导者。同时拥有主、被动器件的设计能力、制造工艺以及集成工艺是未来射频元件公司的发展方向。

射频前端集成存在单片集成(片上SoC系统)和混合集成(SiP封装)两个发展方向。目前通过封装集成的形式更易实现，也是各大厂商重点着力的方向。

博通、Qorvo、Skyworks、村田、TDK不仅供应元器件还具有模组整合能力，将在集中度很高的市场中进一步确立优势。基带厂商也进入射频前端领域，行业竞争更加激烈。

近年射频前端领域有多起并购整合，相关厂商积极布局。2014年RFMD和TriQuint合并成立Qorvo，RFMD擅长功率放大器，TriQuint的威廉希尔官方网站优势则在于SAW和BAW，二者合并威廉希尔官方网站互补。

2017年1月高通和TDK合资成立RF360，TDK在SAW/BAW滤波器市场有威廉希尔官方网站积累。2017年2月联发科将其部分持股的射频前端芯片厂商络达科技的股份全部收购。安华高则收购博通。

毫米波威廉希尔官方网站采用与以往不同的方式实现高速数据传输，Sub-6GHz与毫米波威廉希尔官方网站可能重构射频前端产业。高通是毫米波领域的新进入者，英特尔、海思、三星、联发科也在积极探索新的机遇。

▌天线:MassiveMIMO和新材料将应用

5G将推动智能手机天线升级，MassiveMIMO威廉希尔官方网站提升通信速率，天线数量也将提升。

LCP(液晶聚合物，LiquidCrystalPolymer)适合于高频高速应用，传输损耗较小，可以作为基板、封装材料等。

2017年苹果首次使用LCP天线，单机价值量远高于之前的PI(Polymide，聚酰亚胺)天线。

LCP优良的弯折性能有助于合理利用智能手机内部的狭小空间。LCP产业链上、中游主要由外国厂商涉及。

生益科技进入LCPFCCL领域。信维通信进入LCP天线领域。立讯精密为LCP天线模组供应商。

MPI(ModifiedPolymide)在10~15GHz频段(或更低)性能与LCP相当，价格也更加便宜。

2019年苹果可能采用MPI天线，这将有利于改善良率，降低成本，同时提升对供应商议价能力。

MPI与LCP天线可能在5G时代共存，相对较低频段采用MPI，较高频段采用LCP。

Vivo方面认为目前手机毫米波天线阵列较为主流与合适的可能方向是基于相控阵(phasedantennaarray)的方式，实现方式主要分为三种:AoB(AntennaonBoard，天线阵列位于系统主板上)、AiP(AntennainPackage，天线阵列位于芯片的封装内)、AiM(AntennainModule，天线阵列与RFIC形成一模组)，三者各有优势。现阶段更多的以AiM的方式实现。

高通推出了QTM052毫米波天线模组产品，一部智能手机可集成4个该模组，预计2019年用于5G终端。

▌5G封测:各大封测厂积极备战5G芯片

5G使用的芯片和元器件数量增加，通过集成可降低成本、提升性能、缩小体积。

现阶段高通、英特尔、联发科、华为等推出的5G芯片方案，搭配的前端射频模块均采用SiP封装。

SiP威廉希尔官方网站 (FEMiD、PAMiD等)将10~15个器件(开关、滤波器、PA)封装在一起，连接可能采用引线(Wirebond)、倒装(FlipChip)、Cu柱(Cupillar)。

5G毫米波产品的集成密度会进一步提升。

未来还要寻找低损耗的材料，集成天线，优化封装整体结构，探索屏蔽防护措施。预计2017~2022年SiP封装销售额CAGR>10%，快于整个先进封装销售额增速(CAGR=7%)。

目前4G时代，智能手机射频前端SiP封装供应链由Qorvo、博通、Skyworks、Murata、TDK-Epcos5家IDM厂商领导。他们部分生产外包至领先的OSAT厂商，如:日月光、安靠、长电科技等。目前这几家IDM厂商主要集中于Sub6GHz解决方案。

高通则想直接开发毫米波产品并建立供应链以确保未来处于领先位置。

各大封测厂在5G芯片及SiP模块封测领域积极研发和布局并争取订单。

近年来全球主要封测厂商在持续提升晶圆级先进封装威廉希尔官方网站，尤其是扇出型(Fan-out)封装。

日月光、安靠、台积电、力成、长电科技、华天科技等厂商均已推出相应的扇出型封装服务。工研院预计未来5G高频通信芯片封装中扇出型封装威廉希尔官方网站将快速发展。

▌化合物半导体迎来新机遇

Yole数据显示2016年射频功率半导体(>3W)市场规模接近15亿美元，预计2020年将达到26亿美元，2016~2022年CAGR=9.8%。电信基础设施(包含基站、无线回传)射频功率半导体将占据一半的市场份额。预计2016~2022年基站市场CAGR=12.5%，无线回传市场CAGR=5.3%。

2016年LDMOS、GaAs器件市场占比较多，GaN器件仅占比约20%(>3W，不包括手机PA)。

随后GaN器件开始取代通信基站中的LDMOS、雷达和航空电子中的真空管以及其他宽带应用。GaN在基站和无线回传应用的增长主要来自数据业务的增长以及工作频率和带宽的提升。

随着载波聚合、MIMO威廉希尔官方网站的使用，GaN的高效率、大带宽优势将进一步得到体现。未来5~10年GaN会取代LDMOS成为3W以上射频功率应用的主要威廉希尔官方网站。

LDMOS威廉希尔官方网站成熟、成本低廉，在其他市场有潜在机会，但市场份额会降至约15%。GaAs由于性价比和可靠性较高，在防务、CATV市场中较多应用，将保持相对稳定的市场份额。

赵鑫 · 2019-7-24 08:28:26

学习了

云解相 · 2019-7-24 08:38:51

5G带来的半导体投资机会

SAW和BAW滤波器目前仍是主流应用

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