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本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-13 15:18 编辑
F2812的内部数据地址线的位数为32位，也就是最大寻址空间为4G，但是实际中采用了分页机制，寻址空间变为了4M。如果我现在想使寻址变为4G，是不是就要改变F2812的分页机制？这个可以不可以改变？再就是F2812外扩在正常情况下为512k+512k+16k+8k+8k，也就是外扩不会超过2M如果我现在想使外扩达到200M可能吗？ 
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即使分页机制不能改变，我还是想要外扩大容量的flash或者RAM，可以将大容量的flash或者RAM的低19位地址线接到XINTF上，高位地址线接到普通的 I/O口上，这样就可以寻址大容量的Flash或者RAM了，可行吗？ |
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wule110 发表于 2018-6-13 02:58 Chengcheng c2000的22位的地址总线，最大只能寻址4M。 如果你用普通Io来模拟，我认为不大可以，因为CCS要怎么编译才能够把数据映射到那个地址。 在E2E论坛上看到类似的帖子 http://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000/f/171/t/124382.aspx Eric - ERIC |
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guigui_7044 发表于 2018-6-13 03:06 感谢您的回复以及您给的帖子的链接，很受用。F2812外扩的地址线为19位，即最大寻址为512K，我现在将大容量的flash分为很多个512k的模块，使用普通I/O口依次选取使用，只要在程序中设置好各个“块”之间的切换，还有很有可能实现大容量Flash 操作的吧？ |
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wule110 发表于 2018-6-13 03:25 Chengcheng, 如果你在程序中用Flash API 以及对IO的控制来对 这多个Flash进行控制的话，我觉得应该可行。但是你如果要想通过CCS load程序的方法对多块片外Flash进行加载的话，就应该不可以，ccs没办法根据你所说的IO控制来控制Flash的烧写。 Eric - ERIC |
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