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嗨，我在我的应用程序中使用SST26VF0闪存。我有来自微芯片站点的驱动程序，运行良好。我有应用程序，就像我在使用GPRS模块一样，并且向服务器发送分组。如果没有GPRS连接，系统将把分组存储到SST26VF01。当没有GPRS连接时：写数据分组。包大小最大为200字节。所以我把每个新包写到新页面。当GPRS连接时：从闪存中获取数据并发送给服务器。在实现这一点上我面临以下问题。如何搜索最后页面位置（在系统重置时，我们应该知道写入的最后位置闪光灯是什么，并且对于新的即将到来的数据包从相同的位置开始）2。由于我们不能明智地擦除这个内存页，你能否给我推荐任何算法，以便我能够有效地实现扇区擦除、块擦除功能。
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19个回答
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也许你应该看看像23 LCV1024，这是一个SRAM与电池备份？您可以像任何普通FIFO内存一样运行它，并将指针保存在第一页中。只是一个想法。闪光灯磨损速度快，不均匀，使用起来更复杂。
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悲伤：设计完成了。硬件和我在一起。我们选择了闪存。
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保留一个扇区，用于存储到发送的最后一页的索引。每次存储新包或删除一个包，就将新索引写入索引扇区中的下一个位置。当索引扇区已满时，擦除它并重新开始。在启动或重置时，搜索最后写入的索引（其余为0xFFFFFFFF），然后从那里开始。注意，擦除操作之间进行许多字节写入（对空白位置）不会影响闪存的持久性。
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闪光耐力受什么影响？
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你多久擦除一个块。
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如果你还写页……对吗？
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我将为存储地址保留一页。每次写入（地址将被更新）如果我们存储一个数据包。如果我们保存100000个数据包，这个内存区域将被写入100000次。之后它会被损坏，因为它的最大写入周期是100000。
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我可以预订一个寻址页面。但是我不能去特定的位置写到它。因为它是页面可编程闪存。每次我需要给._page命令。它有100000擦除/页面程序周期。可惜：
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文件系统如何处理？
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我总是在产品中这样做。我有一个Flash FIFO.C代码，但不能真的让你拥有它！它允许多个流存储在基于Flash的FIFO中。对于Tip（我的方式）：1将内存划分成块。如果足够小，可以使用闪光灯扇区大小。2。在每个块的开始处，您写一个头，该头包括一个块ID计数器和块ID检查，以确保它是有效的。计数器的范围必须至少为2X块的最大数目。每一个新的块都被赋予ID.的下一个值，让ID作为最大值的包，为每个新的块加上+++。也就是说，如果你有32767个块或更少，使用16位ID（0～0xFFFF）。3。在Read中，搜索所有只读取标题的块，然后使用块ID，您可以找到最新的和最老的块索引。对于16位无符号ID的情况，（Heal.Id- NeXeTiD＆L.0x800 0U）找到最新的。还有！（Heal.ID-OlDeTiD＆L.0x80U）和AMP；Health.NoTr寄）找到最老的。在每一个匹配过程中，你都要保持/更新NeeSeTeD和OLTDISD，并且总是匹配第一个有效块，如NeEthED和OldestID必须在正确的范围内工作。4。如果你使用一个小的块大小，你可以写1个记录每一个块，如果它是大的，你开发了一种方法来确定每个块已经被使用了多少。可能是通过搜索实际数据之后的0xFF字节，只要你的数据不包含0xFF。您不希望在块中写入索引/指针，除非可能是满的。这个系统允许整个或部分闪存被完美地使用。我确实改写头中的位，因为位总是可以从1变为0。这是一个很有用的标志，只能先更改或最后更改。我在EEPROM和Flash中使用过这个系统，它有256字节块和4K扇区块。
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编写单个字节是没有问题的。我会为索引保留一个扇区，而不是一个页面，因为您不能擦除一个页面。扇区是可以擦除的最小大小。您可以在4k扇区中存储1k个地址，然后需要擦除它。也就是说，在该扇区耗尽之前有1亿个地址。
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因为它是页面可编程存储器，每次我需要对页面进行编程时，我无法得到特定的地址并写入它。
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您可以编写单位、字节或页，但只能将1更改为0或写入失败。您擦除以将所有页面再次改回1s。所以您可以将0xfe写到地址0以改变一个位，然后将0xfc写到地址0以改变另一个位，这样就可以了。
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我用的是SST26VF032B闪存。因此，它没有对单个字节进行编程的指令。我们有对页进行编程的指令。您可以编写单个位、字节或页，但是只能将1更改为0，否则写入失败。您擦除以将所有页面再次改回1s。所以您可以将0xfe写到地址0以改变一个位，然后将0xfc写到地址0以改变另一个位，这样就可以了。
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以前版本的Flash SST25VF0是字节可编程的，但现在已经过时了。
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是的，页面程序命令就是您使用的。看看表5-1中的命令。它没有说256字节，而是说1-256字节。您可以对单个字节或任何数字进行编程，最多可达256（我在SST26VF016B上进行编程）
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可以给我看代码吗？是的，页面程序命令就是您使用的。看看表5-1中的命令。它没有说256字节，而是说1-256字节。您可以编程一个字节，或者任何最多256字节的数字（我在SST26VF016B上完成）微笑：
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这里的要点是，确保内部循环退出从而启动一个新页面的。您不能写出页面的末尾，否则数据将回绕到同一页面的开始。在开始处额外的SPI写入，而在结尾处读取的SPI，都在那里，因此代码被优化以允许SPI读-SPI写入在内部循环中彼此相邻，从而获得最大的吞吐量。您可以计算其他函数和常量，在编写命令和地址之后，FlashWriteCA()使CS保持在低位，而FlashCMD()执行CS=0、Spi Write命令、WaitSpi()、Spi read dummy、CS=1。
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我遇到了同样的问题，并且使用了与Chris A类似的方案。我预订了两个闪存扇区，活动扇区和备用扇区。当要闪存的项目时，添加一个包含项目ID（可用于标识项目的唯一编号）、项目大小和状态的头部。状态开始时是“未使用”在写入闪存时被更改为“写入”，然后是“使用”，如果项目不再使用，则被“删除”。状态开始为0xFF（未使用），状态中的位从每个状态从1变为零。上电后，解析闪存，并创建一个基于RAM的表，将所有项目的项目号和闪存地址与“use”状态匹配。现在可以从这个查找表中读取项目。若要擦除项目，只需将状态从“已使用”更改为“已删除”。若要添加项目，请在闪存中的最后一个项目之后写入新项目。在某个时间点，Flash将满。当这种情况发生时，将所有“使用”项从活动闪存扇区移动到备用闪存扇区，并使备用扇区成为活动扇区。此操作将删除的项目留在后面，释放空间。
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