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过去，人们对用于节能灯、电子镇流器三极管参数的要求定位是不清晰的。除了BVceo、BVcbo、ICeo、hFE、Vces、Ic等常规参数要求之外，低频管只有特征频率的要求(一般在几兆数量级)。但是，特征频率是对正弦波线性放大的要求，与开关工作状态下三极管开关参数不是一个概念。另外，由于认识水平和国内硬件条件的限制，妨碍了人们对灯用三极管的参数进行有效的控制和鉴别。本文试图将节能灯和电子镇流器用三极管的选择做一些总结，以便充分了解应用过程中三极管的损坏机制。
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40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超结MOSFET或者20-30mR的GaN!
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