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EDB4416BBBH-1DIT-F-D内存芯片EDB4416BBBH-1DIT-F-R

2022-1-21 08:22:09 416

0 EDB4416BBBH-1DIT-F-D内存芯片EDB4416BBBH-1DIT-F-R 美光科技(Micron Technology, Inc.) 宣布推出第三代低延迟DRAM (RLDRAMR 3记忆体)，一种高频宽记忆体威廉希尔官方网站，能更有效的传输网路资讯。影像内容、行动应用和云端计算的蓬勃发展，产生了对更高效网路基础设施的需求，以能线上传输大量资料。与前几代产品相比，RLDRAM 3记忆体进一步提高了储存容量和速度，同时将延迟减至最低，降低了功耗，在网路应用中效能更好。美光的DRAM行销副总裁Robert Feurle表示，随着网路内容消费的不断增长，人们日益需要有一种能支援网路流量增长的威廉希尔官方网站，美光的RLDRAM 3记忆体满足了这种需求。对于现有的RLDRAM 2，美光将继续提供最高水准的威廉希尔官方网站支援，并计划长期生产该产品。此外，美光正将其RLDRAM 2产品组合转入更先进的50nm制程，提高系统效能，降低功耗。另一方面，美光持续与庞大的合作伙伴网路维持紧密联系，目前合作的FPGA可程式逻辑IC公司包括Altera 和Xilinx，RLDRAM 3记忆体可整合到其产品系列中。美光表示，预计将在2011年上半年开始对其RLDRAM 3进行抽样，目前正与客户合作，征求其对RLDRAM 3记忆体设计的意见。此外，美光预计将在2010年第四季度开始对其50nm RLDRAM 2产品进行抽样。 MT42L128M64D2LL-25 IT:A MT42L128M64D2LL-25 WT:A MT42L128M64D2LL-18 WT:A MT42L256M32D2LG-25 WT:A MT42L32M32D2AC-25 AAT:A MT42L32M32D2AC-25 AIT:A MT42L64M64D2LL-18 WT:C MT42L64M32D1TK-18 AAT:C MT42L256M32D2LK-18 WT:A MT42L256M64D4LM-18 WT:A MT42L64M64D2LL-18 IT:C MT42L256M64D4LM-25 WT:A MT42L16M32D1LG-25 AAT:A MT42L32M16D1FE-25 IT:A MT42L16M32D1LG-25 FAAT:A MT42L32M32D2AC-25 FAAT:A MT42L128M64D2LL-25 AT:A EDBA164B2PF-1D-F-D EDBA164B2PF-1D-F-R EDB4416BBBH-1DIT-F-D EDB4416BBBH-1DIT-F-R EDBA232B2PD-1D-F-D EDBA232B2PD-1D-F-R EDB1316BDBH-1DAAT-F-D 0 本帖子中包含更多资源您需要登录才可以下载或查看，没有帐号？注册 x
2022-1-21 08:22:09　　评论淘帖0 举报相关推荐 • EDB8164B4PT-1D-F-R内存芯片EDB1332BDBH-1DIT-F-D 502 • ARTs-EDB的内存数据存储管理 5 • 2N4416/2N4416A/SST4416 pdf da 12 • DIT太阳能灯 3 • DIT4192,pdf(DIT4192: 192kHz Di 28 • DIT4096,pdf(DIT4096: 96kHz Dig 22 • LTC4416/LTC4416-1：36V，适用于大型PFET的低损耗双PowerPath控制器产品手册 18 • siwave仿真导入edb文件错误的问题 23049 • AgilentE4416A热季狂售E4416A功率计 1844 • EDB数据库编辑器 49