介绍几种防反接电路设计

我们会在电源电路的输入侧看到防反电路，在不同的电路中防反接用的器件不一样，他们存在以下的区别：

1、二极管

该电路需要在高边侧串联一个二极管。通常应用于2A~3A之间的小电流电路，其电路简单且成本低，但功耗较大。

2、MOS防反电路

NMOS：

这种电路需要在低边放置一个 NMOS。简化的栅极驱动电路通常会采用高性价比的 NMOS。该电路的功能类似于放置在高边的 PMOS。但是，这种防反保护结构意味着电源地和负载地是分开的。

PMOS：

大多数传统的防反保护电路采用PMOS，其栅极接电阻到地。如果输入端连接正向电压，则电流通过 PMOS 的体二极管流向负载端。如果正向电压超过 PMOS的电压阈值，则通道导通。这降低了 PMOS 的Vds，从而降低了功耗。栅极与源极之间通常会连接一个电压调节器，以防止Vgs出现过压情况，同时还可以保护 PMOS在输入功率波动时不会被击穿。

但基本PMOS 防反保护电路有两个缺点：系统待机电流大、存在反灌电流。

总结：

二极管：简单、成本低廉；但管压降大、温升大、损耗大

NMOS：管压降小、温升损耗小、驱动电路简单、成本较低；但会造成地分割

PMOS：管压降小、温升损耗小、驱动电路简单；但成本较高