资料介绍
														CSI93C46/56/57/66/86 E2PROM
1 概述
CSI93C46/56/57/66/86 是一种存储器可以定义为16 位ORG 引脚接Vcc 或者定义为8 位ORG 引
脚接GND 的1K/2K/2K/4K/16K 位的串行E2PROM 每一个的存储器都可以通过DI 引脚或DO 引脚
进行写入或读出每一片CSI93C46/56/57/66/86 都是采用CSIalyst 公司先进的CMOS E2PROM 浮动门
工艺加工器件可以经受1,000,000 次的写入/擦除操作片内数据保存寿命达到100 年器件可提供的封
装有DIP-8 SOIC-8 TSSOP-8
2 器件特性
 高速度操作
93C46/56/57/66 1MHz
93C86 3MHz
 低功耗工艺
 电源电压宽1.8 伏到6.0 伏
 存储器可选择8 位或者16 位结构
 写入时自动清除存储器内容
 硬件和软件写保护
 慢上电写保护
 1,000,000 次写入/擦除周期
 100 年数据保存寿命
 商业级工业级和汽车级温度范围
 连续读操作除93C46 外
 写入允许引脚PE 只有93C86 有
												
												1 概述
CSI93C46/56/57/66/86 是一种存储器可以定义为16 位ORG 引脚接Vcc 或者定义为8 位ORG 引
脚接GND 的1K/2K/2K/4K/16K 位的串行E2PROM 每一个的存储器都可以通过DI 引脚或DO 引脚
进行写入或读出每一片CSI93C46/56/57/66/86 都是采用CSIalyst 公司先进的CMOS E2PROM 浮动门
工艺加工器件可以经受1,000,000 次的写入/擦除操作片内数据保存寿命达到100 年器件可提供的封
装有DIP-8 SOIC-8 TSSOP-8
2 器件特性
 高速度操作
93C46/56/57/66 1MHz
93C86 3MHz
 低功耗工艺
 电源电压宽1.8 伏到6.0 伏
 存储器可选择8 位或者16 位结构
 写入时自动清除存储器内容
 硬件和软件写保护
 慢上电写保护
 1,000,000 次写入/擦除周期
 100 年数据保存寿命
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