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三星披露下一代HBM3E内存性能

FinFET立体晶体管威廉希尔官方网站是Intel 22nm率先引用的，这些年一直是半导体制造工艺的根基，接下来在Intel 20A、台积电2nm、三星3nm上，都...

2023-10-23 标签：内存晶体管 EUV 620 0

AMD发布HBM3e AI加速器升级版，2025年推新款Instinct MI

目前，只有英伟达的Hopper GH200芯片配备了HBM3e内存。与现有的HBM3相比，HBM3e的速度提升了50%，单个平台可以达到10TB/s的带...

2024-02-25 标签：传输速率英伟达 HBM3 617 0

超级计算机性能百亿亿次时代开启 SK海力士HBM3为超算加速

在超级计算机以令人惊讶的速度不断超越，实现升级的背后，存储芯片的性能持续提升，不断突破阈值，为其提供了有力支持。越来越多的超级计算机也在服务器上使用高带...

2022-09-01 标签：存储器超级计算机存储芯片 614 0

创意电子宣布5nm HBM3 PHY和控制器经过硅验证，速度为8.4Gbps

来源：EE Times 先进ASIC领导厂商创意电子（GUC）宣布，公司HBM3解决方案已通过8.4 Gbps硅验证，该方案采用台积电5纳米工艺威廉希尔官方网站。该...

2023-09-07 标签：控制器 HBM3 564 0

英伟达HBM3e 验证计划2024 Q1完成

HBM4 预计将于 2026 年推出，具有针对英伟达和其他 CSP 未来产品量身定制的增强规格和性能。在更高速度的推动下，HBM4 将标志着其最底部逻辑...

2023-11-28 标签：存储芯片 Nand flash 英伟达 537 0

SK海力士发布2024财年第1季度财报，创历史同期新高

本季度，SK海力士实现了历史最高的收入水平，同时营业利润也刷新了自 2018 年以来的同期次高纪录。公司认为这标志着长期低迷后的全面复苏。

2024-04-25 标签：DRAM SK海力士 HBM3 533 0

三星HBM3已经通过英伟达的适用性测试

去年，三星便积极向英伟达递送了HBM3样品，旨在融入其H100等多款计算卡的供应链体系中，并预计于2024年争取到英伟达HBM3订单中高达30%的份额。...

2024-07-26 标签：英伟达三星 HBM3 505 0

三星重磅发布全新12层36GB HBM3e DRAM

12层HBM3e将每个堆栈可用的总带宽提高到惊人的1,280GB/s，这比单个堆栈上RTX 4090可用的全部带宽还要高。

2024-03-29 标签：amd DRAM 服务器 496 0

NVIDIA预定购三星独家供应的大量12层HBM3E内存

据悉，HBM3E 12H内存具备高达1280GB/s的宽带速率以及36GB的超大存储容量，较8层堆叠的HBM3 8H，分别提升了50%以上的带宽及容量。

2024-03-25 标签：人工智能英伟达 HBM3 420 0

三星电子HBM3E芯片验证仍在进行，与英伟达展开联合测试并取得阶段性成果

据行业观察者透露，三星HBM3E面临的问题源于台积电在验证过程中采用了SK海力士的标准，而这与三星自身的生产方式有所出入，从而影响了产品的认证进程。

2024-05-17 标签：SK海力士三星 HBM3 382 0

Rambus通过9.6 Gbps HBM3内存控制器IP大幅提升AI性能

为增强AI/ML及其他高级数据中心工作负载打造的 Rambus 高性能内存 IP产品组合高达9.6 Gbps的数据速率，支持HBM3内存标准的未来演进...

2023-12-07 标签：Rambus HBM3 253 0

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NVM Express（NVMe），或称非易失性内存主机控制器接口规范（英语：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，缩写：NVMHCIS），是一个逻辑设备接口规范。它是与AHCI类似的、基于设备逻辑接口的总线传输协议规范（相当于通讯协议中的应用层）
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