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车规级功率模块封装的现状,SiC MOSFET对器件封装的威廉希尔官方网站 需求

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2023-01-21 15:45:00913

何谓全SiC功率模块

SiC概要、SiC-SBD(肖特基势垒二极管 )、SiC-MOSFET之后,来介绍一下完全由SiC功率器件组成的“全SiC功率模块”。本文作为第一篇,想让大家了解全SiC功率模块具体是什么样的产品,都有哪些机型。
2023-02-08 13:43:21685

搭载了SiC-MOSFET/SiC-SBD的全SiC功率模块介绍

ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFETSiC-SBD的“全SiC功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比,“全SiC功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。
2023-02-10 09:41:081333

SiC功率器件封装形式

SiC器件封装衬底必须便于处理固态铜厚膜导电层,且具有高热导率和低热膨胀系数,从而可以把大尺寸SiC芯片直接焊接到衬底上。SiN是一种极具吸引力的衬底,因为它具有合理的热导率(60W/m-K)和低热膨胀系数(2.7ppm/℃),与SiC的热膨胀系数 (3.9ppm/℃)十分接近。
2023-02-16 14:05:573194

何谓全SiC功率模块

SiC概要、SiC-SBD(肖特基势垒二极管 )、SiC-MOSFET之后,来介绍一下完全由SiC功率器件组成的“全SiC功率模块”。本文想让大家了解全SiC功率模块具体是什么样的产品,都有哪些机型。之后计划依次介绍其特点、性能、应用案例和使用方法。
2023-02-24 11:51:08430

银烧结威廉希尔官方网站 功率模块封装的应用

作为高可靠性芯片连接威廉希尔官方网站 ,银烧结威廉希尔官方网站 得到了功率模块厂商的广泛重视,一些功率半导体头部公司相继推出类似威廉希尔官方网站 ,已在功率模块封装中取得了应用。
2023-03-31 12:44:271885

半导体功率器件封装结构热设计综述

摘要半导体威廉希尔官方网站 的进步使得芯片的尺寸得以不断缩小,倒逼着封装威廉希尔官方网站 的发展和进步,也由此产生了各种各样的封装形式。当前功率器件的设计和发展具有低电感、高散热和高绝缘能力的属性特征,器件封装上呈现出模块
2023-04-20 09:59:41711

SiC功率模块封装威廉希尔官方网站 :探索高性能电子设备的核心竞争力

随着电子威廉希尔官方网站 的不断发展,硅碳化物(SiC功率模块逐渐在各领域获得了广泛应用。SiC功率模块具有优越的电性能、热性能和机械性能,为高性能电子设备提供了强大的支持。本文将重点介绍SiC功率模块封装威廉希尔官方网站 及其在实际应用中的优势。
2023-04-23 14:33:22850

SiC MOSFET器件威廉希尔官方网站 现状分析

对于SiC功率MOSFET威廉希尔官方网站 ,报告指出,650-1700V SiC MOSFET威廉希尔官方网站 快速迭代,单芯片电流可达200A。提升电流密度同时,解决好特有可靠性问题是提高威廉希尔官方网站 成熟度关键。
2023-08-08 11:05:57428

碳化硅功率器件:革命性的封装威廉希尔官方网站 揭秘

碳化硅(SiC)作为一个新兴的宽带隙半导体材料,已经吸引了大量的研究关注。其优越的电气性能、高温稳定性和高频响应使其在功率电子器件领域中具有巨大的应用潜力。但要完全发挥SiC功率器件的潜力,封装威廉希尔官方网站 同样至关重要。本文主要探讨碳化硅功率器件封装的三个关键威廉希尔官方网站
2023-08-15 09:52:11701

赛晶科技发布一种车规级HEEV封装SiC模块

赛晶科技表示,为电动汽车应用量身定做的HEEV封装SiC模块,导通阻抗低至1.8mΩ(@25℃),可用于高达250kW电驱系统,并满足电动汽车驱动系统对高功率、小型化和高可靠性功率需求
2023-09-02 09:42:41316

长电科技高可靠性车载SiC功率器件封装设计

长电科技在功率器件封装领域积累了数十年的威廉希尔官方网站 经验,具备全面的功率产品封装外形,覆盖IGBT、SiC、GaN等热门产品的封装和测试。
2023-10-07 17:41:32398

SiC功率器件封装威廉希尔官方网站

传统的功率半导体封装威廉希尔官方网站 是采用铅或无铅焊接合金把器件的一个端面贴合在热沉衬底上,另外的端面与10-20mil铝线楔或金线键合在一起。这种方法在大功率、高温工作条件下缺乏可靠性,而且不具备足够的坚固性。
2023-10-09 15:20:58299

SiC MOSFET封装、系统性能和应用

,能够像IGBT一样进行高压开关,同时开关频率等于或高于低压硅MOSFET的开关频率。之前的文章中,我们介绍了 SiCMOSFET特有的器件特性 和 如何优化SiC栅极驱动电路 。今天将带来本系列文章的第三部分 SiC MOSFET封装、系统性能和应用 。 封装 WBG半导体使高压转换器能够在更接近
2023-11-09 10:10:02334

碳化硅功率器件封装的关键威廉希尔官方网站

碳化硅(Silicon Carbide,SiC功率器件因其宽禁带、耐高压、高温、低导通电阻和快速开关等优点备受瞩目。然而,如何充分发挥碳化硅器件的性能却给封装威廉希尔官方网站 带来了新的挑战。传统封装威廉希尔官方网站 在应对
2024-01-26 16:21:39218

一文解析SiC功率器件互连威廉希尔官方网站

和硅器件相比,SiC器件有着耐高温、击穿电压 大、开关频率高等诸多优点,因而适用于更高工作频 率的功率器件。但这些优点同时也给SiC功率器件的互连封装带来了挑战。
2024-03-07 14:28:43107

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