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索尼将与希捷合作让HDD容量翻倍，满足AI增长需求

电子发烧友网报道（文/黄山明）近期，据日媒报道，索尼计划将从今年5月起量产用于大容量HDD的半导体激光器。得益于索尼新开发的磁盘存储容量翻倍的威廉希尔官方网站，索尼计划与希捷科技合作，大规...

2024-03-04 标签：HDD 希捷索尼 501

国内光存储威廉希尔官方网站迎重大突破，“超级光盘”诞生，存储容量超普通光盘万倍

电子发烧友网报道（文/黄山明）在数据爆炸的今天，尤其随着AI的高速发展，文字、图片甚至视频都开始能够被AI批量生成，这意味着整个社会即将迎来新一轮的数据浪潮。与之相对的是，数...

2024-02-26 标签：存储光存储光存储存储 2789

2023年存储芯片公司业绩爆冷，存货周转高达635天，DRAM反转涨价

电子发烧友网报道（文/刘静）近期，国内多家存储芯片上市公司发布2023年业绩预告。为了了解去年存储芯片企业的发展情况，电子发烧友整理了存储芯片业务占比超50%的上市公司业绩。存储...

2024-02-22 标签：DRAM 存储存储芯片 2728

AI时代，传统HDD硬盘的出路是什么？

电子发烧友网报道（文/周凯扬）随着存储威廉希尔官方网站的进一步发展，以及大家对于存储性能的看法发生了潜移默化的改变，HDD硬盘似乎在慢慢淡出普通消费者的视野。而AI的加速更是让这一趋势变得更...

2024-02-19 标签：AI HDD AI HDD 硬盘 2719

AI大模型加速落地! 西部数据助力数据中心智能化升级

面对AI大模型的发展和普及，西部数据作为全球数据存储解决方案提供商，如何看待这种浪潮到来，生成式AI威廉希尔官方网站发展对现有基础设施部署工作带来哪些挑战？对存储产品带来了哪些新的发展机...

2024-02-18 标签：SSD 数据中心西部数据 HDD AI大模型 AI大模型 HDD SSD 数据中心西部数据 3689

美光量产行业领先的HBM3E解决方案，加速人工智能发展

2024 年 3 月 4 日全球内存与存储解决方案领先供应商 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，纳斯达克股票代码：MU）近日宣布已开始量产其 HBM3E 高带宽内存解决方案。英伟达 H200 Tensor ...

2024-03-04 标签：内存人工智能 Micron 人工智能内存美光美光科技 34

浅析RAM存储器内部结构图

在计算机中，CPU需要定期地从 RAM 存储器中读取数据和指令。随着计算机应用程序的不断发展，RAM 存储器的容量和速度不断提高，以适应计算机系统的需要。...

2024-03-04 标签：DRAM 存储器 cpu cpu DRAM RAM存储器反相器存储器 87

人工智能与机器学习计算中的内存挑战

更多带宽 – 随着需要移动大量数据，我们目睹了所有 DRAM 类型继续竞相提高数据速率以提供更多内存带宽。...

2024-03-04 标签：DRAM 人工智能 DRAM LPDDR sram 人工智能机器学习 27

Linux系统对存储设备性能的调优方法

固态硬盘正逐步取代磁盘成为存储的标准解决方案，传统磁盘的转速、寻道时间、延迟、机械故障等特点，在新的固态硬盘中已经不复存在。...

2024-03-04 标签：Linux Linux 存储设备调度器 33

什么是NAND 型 Flash 存储器？

前言NANDFlash和NORFlash是现在市场上两种主要的闪存威廉希尔官方网站。Intel于1988年首先开发出NORFlash威廉希尔官方网站 ,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了NANDFlash结构,后者的单元电...

2024-03-01 标签：存储器 SD卡 Nand flash Nand flash SD NAND SD卡存储器 211

喜讯！忆联再次以第一成交候选人入围中国移动SSD硬盘AVAP项目

近日，中国移动公示了2023年至2024年SSD硬盘AVAP合作商第一批次引入项目采购包1-通用SATA的中标候选人，忆联以第1成交候选人中标。值得一提的是，在2023年年末，忆联同样以第一成交候选人入围...

2024-03-01 标签：运营商 SSD SSD 中国移动数据存储运营商 430

曙光存储推出ParaStor分布式全闪存储

曙光存储推出ParaStor分布式全闪存储，携业内首创威廉希尔官方网站 XDS，以训练加速、稳定性强、性价比高的独特价值，全维度涵盖网络、计算和平台，为千行百业的AI大模型开发者提供存储解决方案。...

2024-03-01 标签：AI ChatGPT 大模型 Sora 62

AI时代势不可挡，HBM价格飙升突显其核心价值

与传统的DRAM相比，HBM拥有更高的数据容量和更低的功耗，使其成为需要高性能和高效率的人工智能应用程序的理想选择。一位业内人士表示，在人工智能计算系统领域，目前没有其他内存芯片...

2024-03-01 标签：DRAM 人工智能 amd DRAM HBM SK海力士人工智能 77

HBM、HBM2、HBM3和HBM3e威廉希尔官方网站对比

AI服务器出货量增长催化HBM需求爆发，且伴随服务器平均HBM容量增加，经测算，预期25年市场规模约150亿美元，增速超过50%。...

2024-03-01 标签：存储器服务器 HBM HBM3 AI服务器 HBM HBM3 存储器服务器 73

利用CXL威廉希尔官方网站重构基于RDMA的内存解耦合

本文提出了一种基于RDMA和CXL的新型低延迟、高可扩展性的内存解耦合系统Rcmp。其显著特点是通过CXL提高了基于RDMA系统的性能，并利用RDMA克服了CXL的距离限制。...

2024-02-29 标签：数据中心 PCIe 通信机制 RDMA 深度学习 161

美光抢滩市场，HBM3E量产掀起威廉希尔官方网站浪潮

除了GPU，另一个受益匪浅的市场就是HBM了。HBM是一种高性能的内存威廉希尔官方网站，能够提供比传统DRAM更高的带宽和更低的延迟，这使得其在需要大量数据传输和处理的人工智能应用中具有显著优势。...

2024-02-29 标签：gpu 美光人工智能 SK海力士 HBM 66

以太网存储网络中的拥塞控制与管理策略

当出口队列利用率超过上升阈值时，Cisco Nexus 9000 交换机可检测到微突发。当队列利用率低于下降阈值时，微突发结束。根据交换机型号的不同，本文撰写时的最小微突发粒度为 0.64 微秒，持续...

2024-02-29 标签：以太网交换机 UDP 光纤通道存储网络 135

HBM市场火爆！美光与SK海力士今年供货已告罄

美光指出，专为AI、超级计算机设计的HBM3E预计2024年初量产，有望于2024会计年度创造数亿美元的营收。Mehrotra对分析师表示，“2024年1~12月，美光HBM预估全数售罄”。...

2024-02-27 标签：gpu 美光 SK海力士 HBM gpu HBM SK海力士美光超级计算机 92

数据存储威廉希尔官方网站未来发展趋势与前景展望

数据存储对于数据挖掘与分析、数据整合与共享、智能决策支持、业务模式创新以及优化资源配置等方面具有重要作用。按照存储介质不同，数据存储威廉希尔官方网站主要可分为磁性存储、光学存储以及半...

2024-02-27 标签：DRAM 数据存储 EEPROM 光存储 DRAM EEPROM 光存储数据存储磁性存储 78

“超级光盘”在中国科学院上海光学精密机械研究所诞生

存储容量是普通光盘上万倍、普通硬盘上百倍的“超级光盘”，在中国科学院上海光学精密机械研究所诞生。...

2024-02-25 标签：光存储 270

索尼新突破：半导体激光器让数据存储迈向30TB时代

日本索尼正通过大规模生产激光二极管来显著提升大容量机械硬盘（HDD）的存储容量，以满足全球AI数据中心日益增长的数据存储需求。...

2024-02-25 标签：索尼数据存储半导体激光器数据存储激光二极管索尼 89

我国在光存储领域获重大突破或将开启绿色海量光子存储新纪元

我国在光存储领域获重大突破或将开启绿色海量光子存储新纪元据新华社的报道，中国科学院上海光学精密机械研究所与上海理工大学等合作，在超大容量超分辨三维光存储研究中取得突破性...

2024-02-22 标签：光存储 1128

IBM积极推进Ceph扩展，以打造AI领域的底层数据存储基石

BM正着手扩展Ceph的块和文件存储功能，希望将其定位为Storage Scale并行文件系统之下面向AI工作负载的后端数据存储。...

2024-02-20 标签：数据存储 AI AI IBM TCP 块存储数据存储 95

首颗自研2D MLC NAND Flash！江波龙构建完整的存储芯片垂直整合能力

江波龙研发布局突破藩篱进入到集成电路设计领域，产品及服务获得客户高度认可。继自研SLCNANDFlash系列产品实现规模化量产后，首颗自研32Gb2DMLCNANDFlash也于近日问世。该产品采用BGA132封装，支...

2024-02-19 标签：FlaSh 存储芯片江波龙 305

罗彻斯特电子提供一种SLC和eMMC NAND存储解决方案

罗彻斯特电子为停产和已停产(EOL)元器件提供授权供货渠道和许可生产再制造解决方案，满足各个行业不同系统的需求。...

2024-02-20 标签：DRAM芯片 NAND存储芯片 slc 罗彻斯特 273

ChrentDDR4的特性

DDR5已经开始商用，但是有的产品还在使用DDR4，本文将分享一些DDR4的测试内容。DDR4和前代的DDR3相比，它的速度大幅提升，最高可以达到3200Mb/s，这样高速的信号，对信号完整性的要求就更加严...

2024-02-19 标签：测试 DDR DDR4 237

存储器层次结构如何解释？

存储器层次结构可以从图片中清晰的看出来，图片中共分为六级，越向上的层次，存储器速度越快，容量更小，造价越高。...

2024-02-19 标签：DRAM 存储器 cpu 内存 cpu DRAM 内存存储器网络服务器 304

浅谈存储器层次结构

通过多级存储器的设计，存储器层次结构能够在存储容量和访问速度之间找到一个平衡点。高速缓存存储器和主存储器提供了快速的访问速度，而辅助存储器则提供了大量的存储空间。...

2024-02-19 标签：DRAM 寄存器存储器 cpu 存储设备 100

NAND Flash的写入速度和擦除速度分别是多少

NAND Flash的写入速度和擦除速度会受到多种因素的影响，包括Flash芯片的具体型号、制造工艺、以及操作环境等。因此，无法给出确切的数值。...

2024-02-19 标签：NAND Flash存储器 Nand flash 501

nandflash和norflash的主要特点和区别

NAND Flash和NOR Flash都是基于浮栅场效应晶体管（Floating Gate FET）的结构。它们都包含源极（Source）、漏极（Drain）、控制栅（Control Gate）和浮栅（Floating Gate）。...

2024-02-19 标签：Nand flash NOR flash Nand flash NOR flash 场效应晶体管 318

NOR FLASH的结构和特性及原理图

与NAND Flash相比，NOR Flash具有较低的存储密度和较高的成本，但具有较快的读取速度、较低的读取延迟和较好的随机访问性能。...

2024-02-19 标签：闪存存储芯片非易失性存储器 NOR flash 459

浅谈flash存储器的特点和优缺点

Flash存储器的写操作具有特殊性，它只能将数据位从1写成0，而不能从0写成1。因此，在对存储器进行写入操作之前，必须先执行擦除操作，将预写入的数据位初始化为1。...

2024-02-19 标签：FlaSh 存储器 Flash存储器 378

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