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耦合电容的作用和应用案例
耦合电容是一种用于连接电路中的信号传输和隔离的元件。它通常由两个金属电极和其中填充的介质组成。耦合电容的引脚连接到电路的输入和输出端，起到传递信号的作用。...
2024-02-18 436
IGBT过流故障和短路故障的区别
在电力电子威廉希尔官方网站 领域，绝缘栅双极晶体管（IGBT）是一种被广泛应用的半导体开关器件。它结合了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的输入阻抗高和双极型晶体管（BJT）的载流能力强的优...
2024-02-18 537
如何从不同角度分析电容去耦原理
从储能角度理解电容容易造成一种错觉，认为电容越大越好。而且容易误导大家认为储能作用发生在低频段，不容易向高频扩展。实际上，从储能角度理解，可以解释任何电容的功能。...
2024-03-04 16
可以去除周期干扰信号的滤波器方案
这个信号不是一个纯正弦波，所以它除了50Hz的基频之外，还有很多的高次谐波分量。下图是利用数字示波器采集到的放大器的输出信号数据，在MATLAB中利用FFT得到的信号频谱，可以看到其中存...
2024-03-04 70
五种主流的电平转换方案盘点
使用专用的电平转换芯片，只需给芯片两侧提供不同的电压，电平转换由芯片内部完成，如74xHC系列和74xHCT系列芯片，可实现七路3.3V与5V电平相互转换。...
2024-03-04 307
STM32使用片内外设DFSDM的应用问题
DFSDM是digitalfilter for sigma-delta modulators的缩写，即基于∑∆调制器的滤波器，是个数字外设，常用于对外部模拟信号的数据处理。...
2024-03-04 28
特瑞仕半导体推出了一款降压DC/DC转换器的新产品XC9702系列
特瑞仕半导体株式会社（日本东京都中央区 董事总经理：芝宫 孝司，以下简称“特瑞仕”）开发了降压DC/DC转换器的新产品XC9702系列。...
2024-03-04 131
浅谈SiC晶体材料的主流生长威廉希尔官方网站
在SiC晶体的扩径生长上比较困难，比如我们有了4英寸的晶体，想把晶体直径扩展到6英寸或者8英寸上，需要花费的周期特别长。...
2024-03-04 20
碳化硅（SiC）功率器件在新能源汽车中的深入应用解析
采用多芯片并联的SiC功率模块，会产生较严重的电磁干扰和额外损耗，无法发挥SiC器件的优良性能；SiC功率模块杂散参数较大，可靠性不高。 （2）SiC功率高温封装威廉希尔官方网站 发展滞后。...
2024-03-04 35
三极管开关电路设计图原理
TTL晶体管开关电路按驱动能力分为小信号开关电路和功率开关电路；按晶体管连接方式分为发射极接地（PNP晶体管发射极接电源）和射级跟随开关电路。...
2024-03-04 71
合科泰推出一款采用SOT-23封装的P沟道MOS管IRLML6402
PMOS是指N型衬底、P沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管，因为PMOS是N型硅衬底，多数载流子是电子，少数载流子是空穴，源漏区的掺杂类型是P型，所以PMOS的工作条件是在栅上相对于源极施加负...
2024-03-01 560
STM32的ADC采样与多通道ADC采样硬件电路图
每一个ADC通道都对应一个GPIO引脚，看图中的ADC123_IN10，表示这个引脚(PC0)可以配置为ADC1的通道10，或者是ADC2的通道10，或者是ADC3的通道10，这个地方非常重要，涉及到后面ADC初始化时函数的调用...
2024-03-01 90
半导体设计面临高电压挑战 高压功率器件设计挑战如何破？
基于开关电力电子器件的转换器和逆变器是可再生能源发电厂和电动汽车的关键组件。虽然MOSFET和IGBT都可以用在相关系统中，但前者的栅极驱动功率较低、开关速度更佳且在低电压下效率更高...
2024-03-01 28
igbt能直接代替可控硅吗 IGBT直接代替可控硅会有什么影响？
可控硅具有优秀的反向阻断能力，适用于需要在极短时间内承受较高反向电压冲击的场合。而IGBT的反向阻断能力相对较弱，不适用于这种高反向电压冲击的场合。...
2024-02-29 258
电压跟随器的输入输关系及电路应用图
电压跟随器（Voltage Follower）是一种电路，其输出电压几乎完全复制输入电压，但具有较高的输入阻抗和较低的输出阻抗，以保持信号的稳定性和驱动能力。...
2024-02-29 281
晶体管和集成电路是什么关系？
集成电路是通过一系列特定的平面制造工艺，将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容等无源器件，按照一定的电路互连关系，“集成”在一块半导体单晶片上，并封装在一个保护外壳内，能...
2024-02-29 119
碳化硅功率器件的基本原理、性能优势、应用领域
碳化硅功率器件主要包括碳化硅二极管（SiC Diode）、碳化硅晶体管（SiC Transistor）等。这些器件通过利用碳化硅材料的优良特性，可以在更高的温度和电压下工作，实现更高的功率密度和效率。...
2024-02-29 85
Qorvo推出创新紧凑型E1B封装1200V SiC模块
Qorvo SiC 电源产品线市场总监 Ramanan Natarajan 表示：“该全新系列中的模块可以取代多达四个分立式 SiC FET，从而简化热机械设计和装配。...
2024-02-29 92
上拉电阻和下拉电阻是什么
上拉就是将不确定的信号通过一个电阻钳位在高电平，电阻同时起限流作用。而下拉电阻是直接接到地上，接二极管的时候电阻末端是低电平，将不确定的信号通过一个电阻钳位在低电平。...
2024-02-29 69
上海贝岭最新推出单通道、单极性、全差分输入高精度模数转换器系列
上海贝岭最新推出单通道、单极性、全差分输入高精度模数转换器系列BL1080和BL1070。BL1080 最高支持18位1MS/s，BL1070最高支持16位2MS/s。...
2024-02-29 260
碳化硅SiC衬底生产工艺流程与革新方法
HTCVD法能通过控制源输入气体比例可以到达较为精准的 Si/C比，进而获得高质量、高纯净度的碳化硅晶体，但由于气体作为原材料晶体生长的成本很高，该法主要用于生长半绝缘型晶体。...
2024-02-29 55
为什么GaN被誉为下一个主要半导体材料？
拥有能够在高频下高功率运行的半导体固然很好，但尽管 GaN 提供了所有优势，但有一个主要缺点严重阻碍了其在众多应用中替代硅的能力：缺乏 P -类型。...
2024-02-29 35
艾迈斯欧司朗推出首款用于CT探测器的512通道模拟数字转换器AS5912
全球领先的光学解决方案供应商艾迈斯欧司朗（瑞士证券交易所股票代码：AMS）近日宣布，推出了首款用于CT探测器的512通道模拟数字转换器（ADC）AS5912，...
2024-02-29 195
什么是NTC热敏电阻、原理及作用
NTC热敏电阻是以Negative Temperature Coefficient的首字母缩写命名的热敏电阻。通常，“热敏电阻”一词指代的就是NTC热敏电阻。1833年，当时正在研究硫化银半导体的迈克尔·法拉第将其发现，塞缪尔...
2024-02-29 91
运算放大器基本原理及输入输出
运算放大器具有非常高的开环增益，通常可以达到几万甚至几十万倍。这种高增益性质可以使运算放大器在输出信号中放大微小的输入信号，从而提高整个系统的增益。...
2024-02-28 312
一问解析电解电容与钽电容区别
当负极引脚接高电位、正极引脚接低电位时，氧化膜处于通流状态，如同PN结的正向导通一样，两极板之间的电流很大，将失去电容的作用，注意这种电容正、负极引脚接反后还会发生停止工作...
2024-02-28 301
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