中国北京 - 2022 年 5 月 17 日 – 移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®（纳斯达克代码：QRVO）今天宣布推出新一代 1200V 碳化硅
2022-05-17 11:55:24
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德国英飞凌科技（Infineon Technologies AG）开发出了适用于光伏发电用逆变器等的耐压为1200V的SiC型FET（JFET）“CoolSiC产品群”，并在2012年5月8日～10日于德国举行的电源威廉希尔官方网站
展会“PCIM Europ
2012-05-17 08:54:481701 美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC) 推出新一代1200V非穿通型(non-punch through，NPT) IGBT系列中的首款产品。
2012-05-18 09:25:34767 
美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出采用碳化硅(SiC)材料和威廉希尔官方网站
的全新1200 V肖特基二极管系列
2012-11-22 14:09:061236 中国 北京，2024 年 1 月 30 日——全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo®（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布一款符合车规标准的碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET）产品；在紧凑型
2024-01-31 15:19:34399 
描述该紧凑型参考设计是一种典型的 PoE 应用，在以太网 5.3V 电压下供应 10W 功率。电路板上搭载了数据过滤器、外部辅助输入和 EMI 滤波器。同步整流提高了能效，在输出电压仅为 5.3V
2018-10-25 16:19:35
测试1200V输入时，加十多分钟后就炸机了，不是一开始就炸，MOS管那一串都炸了，变压器没烧毁。大神帮我看一下电路和波形，600V以后的CS波形感觉就不太好看了，不知道是什么导致的。示波器通道2坏了，没法双通道，只能这样了。
2017-12-13 08:56:00
逆变器等中高功率领域，可显著的减少电路的损耗，提高电路的工作频率。 关断波形图（650V/10A产品） 650V/1200V碳化硅肖特基二极管选型
2020-09-24 16:22:14
Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二极管特性 封装外形⚫最大结温为 175°C⚫高浪涌电流容量⚫零反向恢复电流⚫零正向恢复电压⚫高频工作⚫开关特性不受温度
2020-03-13 13:42:49
。尤其在高压工作环境下，依然体现优异的电气特性，其高温工作特性，大大提高了高温稳定性，也大幅度提高电气设备的整体效率。 产品可广泛应用于太阳能逆变器、车载电源、新能源汽车电机控制器、UPS、充电桩、功率电源等领域。 1200V碳化硅MOSFET系列选型
2020-09-24 16:23:17
ROHM面向工业设备用电源、太阳能发电功率调节器及UPS等的逆变器、转换器，开发出1200V耐压的400A/600A的全SiC功率模块“BSM400D12P3G002
2018-12-04 10:20:43
产品系列包括以下SiC MOSFET：1200V 80/120 /160mΩ和1700V750mΩ，均采用TO247-3L封装。其他器件很快将在同一封装中投入生产，加上类似器件将采用TO247-4L
2019-07-30 15:15:17
在内的各种应用中的采用。当前的SiC-SBD产品结构分为耐压为650V与1200V、额定电流为5A～40A的产品，具体因封装而异。其概要如下表所示。另外，ROHM正在开发650V产品可支持达100A
2018-12-04 10:09:17
DN358- 紧凑型升压转换器可节省电池电量
2019-08-30 06:02:07
电路图显示LT3742，紧凑型双输出DC / DC转换器：14V28V输入至4A时为4A，4A时为5V
2019-06-03 08:49:42
“SmarTile”为中移动研究院自研的紧凑型有源射频天线模块，集光纤接口到天线的完整链路，采用高集成，低功耗，低成本的类终端RFIC实现。SmarTile结构紧凑美观，各性能指标均能达到
2019-06-13 06:59:04
紧凑型矢量光场生成系统
1，概述矢量光场可广泛应用于光学捕获和操纵、表面等离子体、光学加工、焦场工程、量子信息处理、超分辨率显微成像、光通信等方面。上海瞬渺光电近期推出的Model
2024-02-28 13:20:52
是在紧凑型自由空间CWDM器件中，多波长光信号由输入光纤进入。原理是用输入透镜将输入光纤上的波长分别为λ1， λ2…λn的光信号聚焦到第一个滤波片上；波长为λ1的光信号通过第一个滤波片并经第一个输出
2019-01-24 16:21:44
EPCOS/TDK B82477D6紧凑型双电感器采用磁屏蔽铁氧体磁芯和磁屏蔽结构，铜漆包线绕组焊接在端子上。该电感器的绕组威廉希尔官方网站
可实现两个绕组的紧密耦合。这些元件具有高额定电流和低直流电阻，符合
2020-07-01 16:23:26
额定击穿电压器件中的半导体材料方面胜过Si.Si在600V和1200V额定功率的SiC肖特基二极管已经上市，被公认为是提高功率转换器效率的最佳解决方案。 SiC的设计障碍是低水平寄生效应，如果内部和外部
2022-08-12 09:42:07
SiC JBS二极管提供卓越的功能，包括但不限于高温操作，高阻断电压和快速开关能力。本文档介绍高级交换与SiC肖特基二极管相比，GeneSiC的1200 V/12 A SiC JBS二极管提供的性能
2023-06-16 11:42:39
电路图显示LT3464紧凑型升压转换器采用16V偏置电源，可提供6.5mA的电流，效率为77％，来自锂离子电池
2020-07-14 08:13:32
电路图显示LT3483，紧凑型高效LCD电源在15V时产生5mA，小于90mm2
2020-07-15 09:27:29
电动汽车充电领域的研究，想借助发烧友论坛完成项目的设计。项目计划：1）研究与分析双向谐振式DCDC变换器的工作原理；2）下载器件模型在ADS上搭建仿真电路，同时设计SiC管的驱动策略；3）采用耐压1200V
2020-04-24 18:11:27
工作原理的限制，普通的波导滤波器的体积比较大。紧凑型波导滤波器是微波威廉希尔官方网站
领域的一个经典而又十分活跃的研究课题。2003年， Vlad Lenive 和 John Ness 报告了一种采用高度减小的波导
2019-07-05 06:02:13
减小的紧凑型波导滤波器。Rauscher也报告了一种采用介质填充和脊波导加载的紧凑型波导滤波器。本文将介绍一种采用频率选择膜片和电容柱子构成的紧凑型滤波器。
2019-07-08 07:46:30
该参考设计可为汽车摄像头模块中的 Aptina AR0132 图像传感器提供紧凑型电源解决方案。该设计附带电源板和滤波板，电源板上带有两个同步降压稳压器，可提供 1.8V 和 2.8V 输出。设计系统框图（点击此处下载完整框图）>>了解更多 设计特性…
2022-11-22 07:08:17
描述TIDA-01540 参考设计可为增强型隔离式 10kW 三相逆变器降低系统成本并支持紧凑型设计。此设计在单个封装和自举配置中使用双栅极驱动器来为栅极驱动电源产生浮动电压，从而实现较低的系统成本
2018-12-06 14:17:15
哪些分类？产品集合如下： 一：2x4CHCCWDM紧凑型波分复用器 CCWDM产品使用易飞扬专有的自由空间光学平台的集成光学模块，可以提高光学性能，同时降低制造成本，封装小于传统CWDM模块尺寸的1
2018-05-10 14:24:07
的IGBT模块相比，具有1）可大大降低开关损耗、2）开关频率越高总体损耗降低程度越显著 这两大优势。下图是1200V/300A的全SiC功率模块BSM300D12P2E001与同等IGBT的比较。左图
2018-11-27 16:37:30
关于支持紧凑型5G大规模MIMO网络无线电的RF前端系列的知识点总结的太棒了
2021-06-10 08:48:09
DN403- 具有VOUT跟踪和排序功能的紧凑型双路降压转换器
2019-07-30 13:11:15
介绍了采用商用1200V碳化硅（SiC）MOSFET和肖特基二极管的100KHz，10KW交错式硬开关升压型DC / DC转换器的参考设计和性能。 SiC功率半导体的超低开关损耗使得开关频率在硅实现方面显着增加
2019-05-30 09:07:24
高效率的紧凑型解决方案。主要特色紧凑的 45A PoL 解决方案，尺寸为 0.72 英寸 x 1.2 英寸 (18.3mm x30.5mm)适合 45A 单轨或 23A 双轨的灵活配置在 1V/45A、400kHz 时达到 87.5% 的高效率提供 PMBUS 接口用于配置和遥测此设计经过全面测试
2018-08-15 06:40:34
高效率的紧凑型解决方案。特性紧凑的 45A PoL 解决方案，尺寸为 0.72 英寸 x 1.2 英寸 (18.3mm x30.5mm)适合 45A 单轨或 23A 双轨的灵活配置在 1V/45A、400kHz 时达到 87.5% 的高效率提供 PMBUS 接口用于配置和遥测此设计经过全面测试`
2015-05-08 15:14:53
本产品说明展示了接近理论的理想因素和势垒高度GeneSiC的1200V SiC肖特基二极管，设计用于工作温度> 225°C主要应用于井下石油钻井、航空航天和电动汽车。温度理想因子
2023-06-16 06:15:24
TDK集团隆重推出适合超声波应用的全新B78416A*系列紧凑型爱普科斯 （EPCOS） EP6变压器。新系列元件为表面安装 （SMD） 型，有五种型号供选择，覆盖1:1:8.42至1:1:15
2022-02-17 16:04:14
`回收511-1AK01模块，回收西门子紧凑型CPU 512-1CK00，回收511-1CK00模块，回收模拟量CPU模块，回收发那科驱动器，回收西门子6AV触摸屏，回收哪里有高价回收西门子CPU
2020-11-03 08:12:53
利用ARM7(LPC2210)与CMOS感光芯片(OV7620)实现了一个紧凑型圈像采集、处理系统;通过夸理利用LPC2210数据总线的工作方式，有效地消除了OV7620对系统数据总线的干扰
2020-04-28 06:38:33
描述基于 TPS65218 的参考设计是一种紧凑型集成电源解决方案，适用于 Altera® Cyclone® V（E、GX、GT）SoC（属于 Cyclone® 产品系列）。此设计以一体式 IC
2022-09-23 07:35:25
我试图使用以太网将成像器从spartan6 sp605转移到pc。在基准参考设计界面中，它显示“链接已连接到fpga”，但以太网状态LED未激活。我想从紧凑型闪存添加一个图像，我想用以太网传输它。在
2019-09-16 09:52:13
你好，我正在使用XUPV5-LX110T评估平台，我想将数据存储和读取到一个紧凑型闪存（CF），CF存储器插槽就在平台上。关于如何实现它的任何想法？谢谢，普拉卡什。
2019-08-19 07:59:53
实现功率密度非常高的紧凑型电源设计的方法
2020-11-24 07:13:23
元件全部由碳化硅组成的全SiC功率模块。其后，产品阵容不断扩大，并拥有达1200V、300A的产品，各产品在众多领域中被广为采用。随着新封装的开发， ROHM继续扩充产品阵容，如今已经拥有覆盖IGBT
2018-12-04 10:19:59
描述该用于工业驱动器的三相紧凑型功率级参考设计使用支持基本电容隔离要求的 UCC53xx 栅极驱动器，可通过光耦合器提供更长的使用寿命和更佳的传播延迟匹配，从而最大程度地减小逆变器死区失真和损耗
2018-09-30 09:44:42
了市场的许可和赞许，成为系统IC和最新半导体威廉希尔官方网站
方面首屈一指的主导企业。ROHM公司推出了SML-M13和SML-MN2系列带反射器的紧凑型LED，其中SML-M13系列LED型号包括
2019-03-29 03:56:31
。右图为SiC-MOSFET＋SiC-SBD组成的全SiC模块BSM300D12P2E001（1200V/300A）与IGBT＋FRD的模块在同一环境下实测的开关损耗结果比较。Eon是开关导通时的损耗
2018-12-04 10:14:32
是德紧凑型可调协激光器
2019-08-07 06:44:55
器件上的温升均小于 60 摄氏度1% 输出电压调节精度利用所有标准组件（包括磁体）25mm（宽）x 45mm（长）紧凑型电路板尺寸提供测试报告
2019-01-02 16:01:55
需要高的稳定性能和可靠性能。 那么，针对以上这些情况，ccwdm应运而生。ccwdm是一种小型化的cwdm，具有封装尺寸更小、插入损耗更低、通道均匀性好等优点。 CCWDM紧凑型波分复用原理 紧凑型粗
2018-03-29 15:36:34
2ED250E12-F_EVAL，2ED250E12-F评估驱动板的开发是为了在客户使用1200V PrimePACK IGBT模块进行首次设计时为其提供支持。评估驱动板是一个功能齐全的IGBT模块驱动器，其中两个1ED020I12-F驱动器IC过程控制和反馈信号并提供电流绝缘
2020-04-14 09:54:37
描述酷创板这是用于 K32L2B 的紧凑型开发板，旨在与 Seeeduino XIAO 板兼容。它具有 USB Type-C 和 SparkFun Qwiic/Adafruit STEMMA QT
2022-07-01 07:45:18
用于射频和微波系统的超紧凑型可调谐MMIC滤波器
2019-05-20 17:24:24
，带来了布板尺寸为 52mm×40mm、最大组件高度为 4mm 的紧凑型隔离式设计。此外，该设计具有外部电路，可提供电磁干扰和电磁兼容性瞬态保护。主要特色适用于工厂自动化与控制应用的隔离式模拟输出16 位分辨率数字输入隔离电压和电流输出紧凑型设计
2018-10-16 11:53:30
研华推出最新款产品 ACP-1320MB，一款紧凑型 1U 机架式主板机箱。二十多年来，研华始终致力于工业机箱在设计上的日臻完善和质量上的不断提高。 ACP-1320MB 表面呈黑色，经久耐用
2018-11-26 10:59:13
本半导体制造商罗姆面向工业设备和太阳能发电功率调节器等的逆变器、转换器，开发出耐压高达1200V的第2代SiC（Silicon carbide：碳化硅）MOSFET“SCH2080KE”。此产品损耗
2019-03-18 23:16:12
！ 现在，咱们就先来看看“汽车电子参考设计”的第5期有什么好的推荐吧！ 了解更多，点击此处获取本参考设计的原文介绍。 设计概述PMP9351 是一种适用于汽车辅助摄像机模块的紧凑型电源和串行器解决方案，采用 OmniVision 图像传感器 OV10635。此参考板有两个 LMR22007 同步降压稳压器，提供两个 3…
2022-11-22 06:04:32
描述此参考设计可为70W（峰值）音频系统提供紧凑型电源解决方案。该电源可接受通用交流输入，并采用 UCC28610 准谐振反激式控制器来产生24V 隔离输出。此外，还提供辅助的 5V/1.5A 和 3.3V/0.1A 输出。该设计可为 30W 持续负荷以及 70W高峰负荷供电，效率最高可达 85%。
2018-11-23 14:56:53
。与此同时，SiC模块也已开发出采用第3代SiC-MOSFET的版本。“BSM180D12P3C007”就是通过采用第3代SiC-MOSFET而促进实现更低导通电阻和更大电流的、1200V/180A、Ron
2018-12-04 10:11:50
采用降压转换器的紧凑型高效率30W参考评估板，提供12V
2020-06-01 14:20:31
Qorvo SiC E1B模块Qorvo SiC E1B模块采用独特的共源共栅电路，常开SiC JFET与Si MOSFET共同封装，形成常关SiC FET。Qorvo SiC E1B具有类硅栅
2024-02-26 14:00:25
Centralsem推出采用紧凑型SMD封装的5A肖特基桥CBRSDSH5-40
CBRSDSH5-40是首个40V/5A全波桥式整流器，封装在一个表面贴装SMDIP外壳内。VF为0.37V，IR为40µA，该器件适合应用于各
2009-11-06 08:34:05632 IR针对汽车应用推出1200V绝缘IGBT AUIRG7CH80K6B-M
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出采用焊前金属 (Solderable Front Metal，SFM) 的 1200V 绝缘栅双极晶体管 (IGBT) AUIRG7
2009-11-19 08:49:32682 Infineon 公司的EconoDUAL 3模块是600A/1200V的IGBT,主要的典型应用包括自动驱动系统的频率变换器,光伏电压系统的中央逆变器,汽车柴油发动机驱动器(CAV),同等封装尺寸,可增加功率30%.本文
2010-06-21 21:52:093052 
RS SFC紧凑型测试 调制器 提供了这样一种解决方案：支持几乎所有的调制标准，拥有极高的性价比，基于创新而独特的设计，SFC仅占有半个标准机架宽度，十分紧凑。目前RS SFC紧凑型调
2011-09-15 09:51:351024 Avago Technologies ( AVGO)今日推出两系列紧凑型LED，可减少数码相机设计中对自动对焦辅助闪光功能的空间要求。
2012-02-01 09:17:42636 日本知名半导体制造商罗姆株式会社（总部：日本京都市）推出的“全SiC”功率模块（额定1200V/100A）开始投入量产。该产品的内置功率半导体元件全部采用SiC（Silicon Carbide：碳化硅）构
2012-03-23 08:52:571571 5月27日，美超微推出新的紧凑型高密度服务器解决方案，为英特尔备受期待的Xeon处理器E3-1200 V3产品系列提供支持。
2013-05-27 10:14:381281 全球领先的高性能功率半导体解决方案供应商Fairchild （NASDAQ： FCS） 发布首个1200V碳化硅（SiC）二极管 —— FFSH40120ADN，纳入即将推出的SiC解决方案系列。
2016-03-22 11:12:161315 英飞凌全新1200V SiC MOSFET经过优化，兼具可靠性与性能优势。它们在动态损耗方面树立了新标杆，相比1200V硅（Si）IGBT低了一个数量级。这在最初可以支持光伏逆变器、不间断电源（UPS）或充电/储能系统等应用的系统改进，此后可将其范围扩大到工业变频器。
2016-05-10 17:17:497997 大联大旗下品佳代理的英飞凌（Infineon）推出革命性的1200V SiC MOSFET，使产品设计可以在功率密度和性能上达到前所未有的水平。它们将有助于电源转换方案的开发人员节省空间、减轻重量、降低散热要求，并提高可靠性和降低系统成本。
2018-04-23 16:18:003665 
英飞凌推出采用全新D2PAK-7L封装的1200V CoolSiC MOSFET，导通电阻从30mΩ到350mΩ，可助力不同功率的工业电源、充电器及伺服驱动器（不同的电流额定值）实现最高效率。 了解
2020-11-03 14:09:492674 光模块是光通信传输系统中非常重要的有源器件，是进行光电和电光转换的光电子模块，能够在光通信中起到光电信号转换的作用。随着通信市场的高速发展，光模块也在随之不断演进，如今，以小型封装为主的紧凑型光模块已经获得了广泛普及。
2020-12-25 16:25:32641 英飞凌科技股份公司（FSE:IFX/OTCQX:IFNNY）推出了1200V碳化硅（SiC）集成功率模块（IPM），并在今年大规模推出了SiC解决方案。CIPOS Maxi IPM IM828系列
2021-01-08 11:34:513386 采用紧凑型封装的新款 6A 和 12A DC/DC 微型模块可提供即时电源
2021-03-18 20:16:48
11 双通道微型模块接收器子系统在紧凑型封装中兼有高速 ADC 和驱动器
2021-03-21 12:16:379 本部分概述非管理紧凑型交换机模块 CSM 1277 的功能。
2021-05-17 10:48:1229 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）已推出两款碳化硅(SiC) MOSFET双模块：额定电压为1200V、额定漏极电流为600A的“MG600Q2YMS3”；额定电压为1700V、额定
2022-02-01 20:22:024577 2022年5月11日 –移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布推出新一代1200V碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET）系列，这些产品在导通电阻方面具备业界出众的性能表征。
2022-05-12 11:22:571460 
移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®（纳斯达克代码：QRVO）今天宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 场效应晶体管 (FET) 系列，该系
2022-05-25 10:46:53927 作为国内首批自主研发并量产应用SiC器件的公司，在SiC功率器件领域，比亚迪半导体于2020年取得重大威廉希尔官方网站
突破，重磅推出首款1200V 840A/700A三相全桥SiC功率模块，并已实现在新能源汽车高端车型电机驱动控制器中的规模化应用。
2022-06-21 14:40:571187 值得一提的是，这款TO247-4封装的产品通过AEC-Q101认证，同时表明1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET裸芯片，也满足车规级可靠性标准。该晶圆正面还可以采用镍钯金，如下图，支持双面散热封装，可进一步突破传统单面封装的功率密度极限。
2022-11-08 14:45:16846 ROHM面向工业设备用电源、太阳能发电功率调节器及UPS等的逆变器、转换器，开发出1200V耐压的400A/600A的全SiC功率模块“BSM400D12P3G002”和“BSM600D12P3G001”。
2023-02-10 09:41:05562 
2022年11月，上海瞻芯电子开发的1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET通过了车规级可靠性认证(AEC-Q101)，该产品为TO247-4封装，最大电流(Ids)可达111A。
2023-03-22 16:47:332003 
。此次，赛米控丹佛斯向低功率领域推出的功率模块中，采用了罗姆的新产品——1200V IGBT “RGA系列”。今后，双方将继续保持紧密合作，全力响应全球电机驱动用户的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事 常务执行官 CFO 伊野和英 （左） 赛米控丹佛斯
2023-04-26 09:17:51569 
赛米控丹佛斯（总部位于德国纽伦堡）和全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市） 在开发SiC（碳化硅） 功率模块方面，已有十多年的良好合作关系。此次，赛米控丹佛斯向低功率领域推出的功率模块
2023-04-26 15:27:11499 
合作关系。此次，赛米控丹佛斯向低功率领域推出的功率模块中，采用了罗姆的新产品——1200V IGBT “RGA系列”。今后，双方将继续保持紧密合作，全力响应全球电机驱动用户的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事 常务执行官 CFO 伊野和英 （左） 赛米控丹佛斯
2023-05-17 13:35:02907 
强固型嵌入式电脑品牌 – Cincoze 德承，全新推出Rugged Computing - DIAMOND 产品线的高效紧凑型嵌入式电脑DX-1200，利用紧凑规划克服了体积限制，让效能与强固得以充分发挥。
2023-05-18 11:27:53296 
2023年10月，凌锐半导体正式推出新一代1200V 18毫欧和35毫欧的SiC MOS。产品性能优异，开关损耗更低、栅氧质量更好、而且兼容15V和18V驱动，能够满足高可靠性、高性能的应用需求。
2023-10-20 09:43:26444 
继1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二极管）器件获AEC-Q101车规级认证后
2023-10-25 18:28:10398 
深圳市至信微电子有限公司（简称：至信微）在深圳威尼斯英迪格酒店成功举办了2024新品发布暨代理商大会。此次大会上，至信微发布了一系列行业领先的SiC芯片，其中包括1200V/7mΩ和750V/5mΩ两款产品。
2024-01-16 15:45:17247 Qorvo，全球领先的综合连接和电源解决方案供应商，近日发布了其全新车规级碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET）产品。这款产品拥有紧凑的 D2PAK-7L 封装，实现了业界领先的9mΩ导通电阻RDS
2024-02-01 10:18:06152 智能电源和智能感知威廉希尔官方网站
的领先企业安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，宣布推出采用了新的场截止第 7 代 (FS7) 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 威廉希尔官方网站
的1200V SPM31智能功率模块 (IPM)。
2024-02-27 11:38:59242
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