电力电子产品设计人员致力于提升工业和汽车系统的功率效率和功率密度,这些设计涵盖多轴驱动器、太阳能、储能、电动汽车充电站和电动汽车车载充电器等。
2023-09-26 10:00:0492 在功率器件领域,除了围绕传统硅器件本身做文章外,材料的创新有时也会带来巨大的性能提升。比如,在谈论功率密度时,GaN(氮化镓)凭借零反向复原、低输出电荷和高电压转换率等突出优势,能够帮助厂商大幅提升系统密度,而另一种主流的宽带隙半导体材料SiC(碳化硅)也是提升功率密度的上佳选择。
2023-05-18 10:56:27399 20 V、双 P 沟道沟槽 MOSFET-PMDPB80XP
2023-03-02 22:57:480 20 V、单 P 沟道沟槽 MOSFET-PMN80XP
2023-03-02 22:56:170 LFPAK56 中的 N 沟道 80 V、41 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN041-80YL
2023-02-23 18:39:260 N 沟道 80 V、17 mΩ 标准电平 MOSFET,采用 TO220-PSMN017-80PS
2023-02-22 19:04:010 TO-220 封装的 N 沟道 80 V、3.3 mΩ 标准电平 MOSFET-PSMN3R3-80PS
2023-02-22 19:00:520 TO-220 封装的 N 沟道 80 V、3.5 mΩ 标准电平 MOSFET-PSMN3R5-80PS
2023-02-22 19:00:220 LFPAK56 中的 N 沟道 80 V、25 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN025-80YL
2023-02-22 18:52:160 LFPAK56 中的 N 沟道 80 V、14 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN014-80YL
2023-02-22 18:51:220 LFPAK56 中的 N 沟道 80 V、10 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN010-80YL
2023-02-22 18:50:380 N 沟道 LFPAK 80 V、45 mΩ 标准电平 MOSFET-PSMN045-80YS
2023-02-22 18:47:250 N 沟道 80 V、4.3 mΩ 标准电平 MOSFET,采用 TO220-PSMN4R3-80PS
2023-02-22 18:46:220 双 N 沟道 80 V、15 mΩ 标准电平 MOSFET-BUK7K15-80E_
2023-02-22 18:42:390 双 N 沟道 80 V、17 mΩ 标准电平 MOSFET-BUK7K17-80E_
2023-02-22 18:42:260 双 N 沟道 80 V、23 mΩ 标准电平 MOSFET-BUK7K23-80E_
2023-02-22 18:42:160 双 N 沟道 80 V、20 mΩ 逻辑电平 MOSFET-山毛榉9K20-80E_
2023-02-22 18:41:450 双 N 沟道 80 V、22 mΩ 逻辑电平 MOSFET-山毛榉9K22-80E_
2023-02-22 18:41:250 双 N 沟道 80 V、20 mΩ 逻辑电平 MOSFET-山毛榉9K20-80E
2023-02-21 19:30:160 双 N 沟道 80 V、22 mΩ 逻辑电平 MOSFET-山毛榉9K22-80E
2023-02-21 19:30:050 双 N 沟道 80 V、15 mΩ 标准电平 MOSFET-山毛榉7K15-80E
2023-02-21 19:29:450 双 N 沟道 80 V、23 mΩ 标准电平 MOSFET-山毛榉7K23-80E
2023-02-21 19:29:310 双 N 沟道 80 V、17 mΩ 标准电平 MOSFET-山毛榉7K17-80E
2023-02-21 19:29:110 双 N 沟道 80 V、30 mΩ 逻辑电平 MOSFET-山毛榉9K30-80E
2023-02-21 19:27:480 80 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMXB360ENEA
2023-02-21 19:19:370 80 V、N 沟道沟槽 MOSFET-BUK6D81-80E
2023-02-20 20:03:220 80 V、N 沟道沟槽 MOSFET-BUK6D230-80E
2023-02-20 19:58:350 ` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:02 编辑
因能源效率标准和最终系统要求的推动,在不影响功率密度的高能的情况下,能缩减应用电源的外形尺寸且有效解决方案是当下电源设计人
2012-04-28 10:21:32
采用 LFPAK56 的 NextPower 80 V、4.5 mOhm N 沟道 MOSFET-PSMN4R5-80YSF
2023-02-14 19:20:100 ROHM推出内置耐压高达80V的MOSFET的DC/DC转换器用IC“BD9G341AEFJ”。80V耐压是内置功率晶体管的非隔离型DC/DC转换器IC的业界最高水平,在ROHM的DC/DC转换器产品阵容中也是最高耐压的机型。
2023-02-13 09:30:06308 功率半导体注定要承受大的损耗功率、高温和温度变化。提高器件和系统的功率密度是功率半导体重要的设计目标。
2023-02-06 14:24:20826 和信号完整性以提高系统级保护和精度。 在这些趋势之外,功率密度越来越高也是一个不争的行业趋势,如果能在更小的空间内实现更大的功率,就能以更低的系统成本增强系统级性能。随着功率需求的增加,电路板面积和厚度日益成为限制因
2022-11-29 07:15:10476 一般电驱动系统以质量功率密度指标评价,电机本体以有效比功率指标评价,逆变器以体积功率密度指标评价;一般乘用车动力系统以功率密度指标评价,而商用车动力系统以扭矩密度指标评价。
2022-10-31 10:11:212860 N 沟道器件实现高功率密度,降低导通和开关损耗,提高能效 宾夕法尼亚、 MALVERN — 202 2 年 10 月 12 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.
2022-10-12 15:44:14306 功率半导体注定要承受大的损耗功率、高温和温度变化。提高器件和系统的功率密度是功率半导体重要的设计目标。
2022-05-31 09:47:061639 式电源 (SMPS)。 首批上市的两款器件是650V STP65N045M9和600V STP60N043DM9。两款产品的单位面积导通电阻(RDS(on))都非常低,可以极大程度提高功率密度
2022-05-19 10:50:421741 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出两款n沟道TrenchFET® MOSFET---60 V SiJH600E和80 V SiJH800E,以提高通信和工业应用功率密度、能效和板级可靠性。
2022-02-07 15:37:08770 新型 30 V n 沟道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET,提升隔离和非隔离拓扑结构功率密度和能效。 Vishay Siliconix SiSS52DN 采用热增强型 3.3 mm x
2021-05-28 17:25:571964 Vishay/Siliconix SiR186LDP N沟道60V (D-S) MOSFET采用TrenchFET® Gen IV功率MOSFET威廉希尔官方网站
。
2021-04-21 17:50:211061 日前发布的器件在小型封装内含有高性能n沟道沟槽式MOSFET和PWM控制器,提高了功率密度。稳压器静态工作电流低,峰值效率达98 %,减少功率损耗。
2021-03-24 16:58:211341 80V转15V,80V转12V,80V转5V的高压降压芯片规格书
2020-11-25 16:23:1319 日前发布的MOSFET导通电阻比市场上排名第二的产品低43%,降低压降并减小传导损耗,从而实现更高功率密度。
2020-08-17 11:53:14802 通过对同步交流对交流(DC-DC)转换器的功耗机制进行详细分析,可以界定必须要改进的关键金属氧化物半导体场效晶体管 (MOSFET)参数,进而确保持续提升系统效率和功率密度。分析显示,在研发功率
2020-08-07 18:52:000 最小的0.8mm x 0.8mm芯片级封装的N沟道和P沟道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N沟道Si8802DB和P沟道Si8805EDB TrenchFETreg
2019-01-01 16:29:01277
意法半导体新款的MDmesh™ MOSFET内置快速恢复二极管
提升高能效转换器的功率密度
2017-09-21 16:31:255779 TrenchFET® 第四代功率MOSFET---SiA468DJ,为移动设备、消费电子和电源提供了更高的功率密度和效率。
2017-04-25 15:58:551406 MOSFET的首颗器件---SiHP065N60E。Vishay Siliconix N沟道SiHP065N60E的导通电阻比前一代600V E系列MOSFET低30%,为通信、工业和企业级电源提供了
2017-02-10 15:10:111499 PowerPAK SC-70®封装的新款20V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiA466EDJ。
2015-03-05 16:30:04829 日前,Vishay宣布,推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET---Si7157DP,扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221339 2.0mm x 0.4mm CSP MICRO FOOT®封装尺寸的-20V器件---Si8851EDB,扩展其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。Vishay
2013-12-05 10:30:05780 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出采用PowerPAK® ChipFET®和PowerPAK 1212-8S封装的新器件,扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。
2013-12-02 09:49:211052 ® 1212-8S封装的-30V---SiSS27DN器件,扩充其TrenchFET® Gen III P沟道功率MOSFET。
2013-07-15 11:32:40733 Vishay 推出新款8V和20V N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
2013-01-15 09:05:541314 Vishay推出新款通过AEC-Q101认证的40V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:381334 Vishay具有业内最低导通电阻的新款12V和20V 的N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET。采用业内最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT®封装的CSP规格尺寸
2012-11-29 16:37:311573 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出业界首款采用3.3mm x 3.3mm封装以实现在4.5V栅极驱动下4.8mΩ最大导通电阻的20V P沟道MOSFET---Si7655DN。
2012-11-28 21:17:401269 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新款8V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiA436DJ。
2012-06-28 12:50:441029 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,引入两款在尺寸和导通电阻上设立了新的行业基准的p沟道30V器件---Si8497DB和Si8487DB,扩充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。
2012-02-20 08:34:13523 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布, Vishay Siliconix推出新款n沟道功率MOSFET通过JAN认证的,分别是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV
2011-11-01 09:26:351417 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出业内采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片级封装的N沟道和P沟道功率
2011-10-21 08:53:05824 英飞凌科技股份公司近日宣布推出采用先进沟道工艺制造的全新单P沟道40V汽车电源MOSFET产品系列。全新的40V OptiMOS P2产品为能效改进、碳减排和成本节约树立了行业新标杆,从而进一步
2011-09-13 08:33:16642 用改进的PQFN器件一对一替换标准SO-8 MOSFET可提升总体工作效率。电流处理能力也能够得以增强,并实现更高的功率密度。在以并联方式使用的传统MOSFET应用中,采用增强型封装(如PQFN和DirectFET)的最新一代器件可用单个组件代替一个并联的组件对。
2011-03-09 09:13:025695 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款8V P沟道TrenchFET 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK SC-70封装,具有迄今为止P沟道器件所能达到的最低导通电阻。
2011-01-26 09:04:081361 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款600V、47A N沟道功率MOSFET --- SiHG47N60S,该MOSFET在10V栅极驱动下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:571359 采用芯片级MICRO FOOT封装的P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出首款采用芯片级MICRO FOOT封装的P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET -
2010-04-30 08:42:49843 P沟道TrenchFET功率MOSFET管Si8499DB
Vishay推出首款采用芯片级MICRO FOOT®封装的P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占
2010-04-29 11:27:351481 Vishay推出500V N沟道功率MOSFET:SiHF8N50L-E3
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款500V N沟道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。与前一代器件相比,该器件的
2010-04-07 10:52:52736 小信号应用60V功率MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出采用SOT-923封装的60V N沟道功率MOSFET --- SiM400。该器件为业界最小的60V功率MOSFET,比SC-70和SC-90等封装能节约更多
2009-12-31 09:59:441332 Vishay推出的P沟道功率MOSFET SiA433EDJ
日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布,推出新款20VP沟道功率MOSFET——SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm×2mm占位面积的热增强PowerPAKSC-70封装,具
2009-11-25 17:56:52617 Vishay Siliconix推出业内最低导通电阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011015 Vishay Siliconix推出业界性能最先进的P沟道功率MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位面积的热增强Pow
2009-11-23 17:10:23568
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