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电子发烧友网>电子资料下载>电子资料>如何激发GaN的潜能

如何激发GaN的潜能

2020-12-10 | pdf | 0.33 MB | 次下载 | 免费

资料介绍

  大规模数据中心、企业服务器或电信交换站使得功耗快速增长,因此高效 AC/DC 电源对于电信和数据通信基础设施的发展至关重要。但是,电力电子行业中的硅 MOSFET 已达到其理论极限。同时,近来氮化镓(GaN)晶体管已成为能够取代硅基 MOSFET 的高性能开关,从而可提高能源转换效率和密度。为了发挥 GaN 晶体管的优势,需要一种具有新规格要求的新隔离方案。 GaN 晶体管的开关速度比硅 MOSFET 要快得多,并可降低开关损耗,原因在于:栅极电容和输出电容更低。较低的漏源极导通电阻(RDS(ON))可实现更高的电流操作,从而降低了传导损耗。无需体二极管,因此反向恢复电荷(QRR)低或为零。 GaN 晶体管支持大多数包含单独功率因数校正(PFC)和 DC-DC 部分的 AC/DC 电源:前端、无电桥 PFC 以及其后的 LLC 谐振转换器(两个电感和一个电容)。此拓扑完全依赖于图 1 所示的半桥和全桥电路。

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