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• 以工艺见长的东芝N沟道功率MOSFET为电源效率赋能

  MOSFET是以金属层（M）栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S）的场效应晶体管，其特点是用栅极电压来控制漏

  2023-04-13 标签： MOSFET 东芝 开关电源 56 0

• 东芝新款TVS二极管让IoT和移动设备远离静电与噪声

  不管是工业类设备，还是消费类电子设备，各种应用都需要具有防静电和防浪涌的能力，以防止电器设备因瞬态电压带来的影响，从而防

  2023-04-08 标签： 二极管 ESD 东芝 58 0

• 东芝推出150V N沟道功率MOSFET——“TPH9R00CQ5”

  东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布，推出150V N沟道功率MOSFET——“TPH9R00CQ5”，其

  2023-03-31 标签： 转换器 MOSFET 东芝 180 0

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  东芝的新款150V N沟道功率MOSFET具有业界领先的低导通电阻和改进的反向恢复特性，有助于提高电源效率

  中国上海， 2023 年 3 月 30 日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出150V N沟道

  2023-03-30 标签： 东芝 电源效率 325 1

• 蓝牙的主要威廉希尔官方网站 及特点

  早在1994年，瑞典的爱立信公司便已经着手蓝牙威廉希尔官方网站 的研究开发工作，意在通过一种短程无线链路，实现无线电话用PC机、耳机及

  2023-03-24 标签： 东芝 蓝牙 无线通信 145 0

• 东芝推出650V分立IGBT---“GT30J65MRB

  东芝在其新款IGBT中引入了最新的工艺。优化的沟槽结构确保了行业领先[2]的0.35mJ（典型值）[3]的低开关损耗（关

  2023-03-17 标签： 东芝 IGBT 89 0

• 东芝4通道晶体管输出光耦让应用绝缘性能更高

  与东芝当前的晶体管耦合器TLP292-4和TLP293-4相比，这两款产品集成了一个用于晶体管基极存储电荷的放电电阻器，

  2023-03-17 标签： 东芝 光耦 晶体管 204 0

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  GT30J65MRB东芝分立IGBT将大幅提高空调和工业设备的效率

  GT30J65MRB用于空调和工业设备大型电源的功率因数校正（PFC）电路[1]的650V分立IGBT。 功率半导体器件

  2023-03-16 标签： 电源 东芝 变频器 285 0

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  东芝分立IGBT大幅提高空调和工业设备的效率

  GT30J65MRB用于空调和工业设备大型电源的功率因数校正（PFC）电路[1]的650V分立IGBT。 功率半导体器件

  2023-03-16 标签： 东芝 IGBT PFC 380 0

• 东芝MG10ACA20TE硬盘详细评测分析

  普通的机械硬盘通常采用螺丝将盖板与盘体固定，并配备带有过滤装置的透气孔或者导气管来实现与外界的气压平衡。东芝MG10系列

  2023-03-16 标签： 东芝 硬盘 机械硬盘 279 0

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