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标签 > 宽禁带半导体
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对 Ga2O3外延材料、功率二极管和功率晶体管的国内外最新研究进行了概括总结,展望了Ga2O3在未来的应用与发展前景。
GaN:由镓(原子序数 31) 和氮(原子序数 7) 结合而来的化合物。它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。
氧化镓能带结构的价带无法有效进行空穴传导,因此难以制造P型半导体。近期斯坦福、复旦等团队已在实验室实现了氧化镓P型器件,预计将逐步导入产业化应用。
第一代半导体指硅(Si)、锗(Ge)等元素半导体材料;第二代半导体指砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等具有较高迁移率的半导体材料
我国的氧化镓衬底能够小批量供应,外延、器件环节产业化进程几乎空白,研发主力军和突出成果都在高校和科研院所当中。
以碳化硅(silicon carbide,SiC)为代表的宽禁带半导体器件,受到了广泛的关注。SiC中存在各种多型体(结晶多系),它们的物性值也各不相...
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氮化镓是一种具有较大禁带宽度的半导体,属于所谓宽禁带半导体之列。它是微波功率晶体管的优良材料,也是蓝色光发光器件中的一种具有重要应用价值的半导体。
安集科技携"芯"而来,亮相IC China 2022
革新威廉希尔官方网站 ,共同推进集成电路产业发展 上海2022年11月18日 /美通社/ -- 为了进一步加强全球集成电路产业链供应链交流与合作,展示集成电路产业最新...
宽禁带半导体厂商派恩杰作为白金合作伙伴出席CPEEC & CPSSC 2022
2022中国电力电子与能量转换大会 暨中国电源学会第二十五届学术年会及展览会(CPEECCPSSC 2022)2022年11月4-7日 广州 白金合作...
对电子设备的需求激增正在推动半导体行业多个领域的增长。制造商通过使用非传统产品和应用程序添加差异化服务来寻求竞争优势。这一趋势的受益者是宽带隙 (WBG...
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