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原理图如图1所示示波器黄色线条为PWM波形，绿色为Q5漏极波形，所看波形为空载所测
PWM端输出不同占空比方波，控制PMOS的导通与关断时间，来达到LED调光的目的。 有如下两点疑问：示波器下测试（微观上10us）发现的漏极波形为一方波，最大值4.2V(理想情况下)至0V，万用表(宏观上)测得的平均电压肯定要小于示波器看到的最大值电压，此时是以平均电压来衡量Q5的漏极电压吗？ 另一个问题：如果负载LED的额定电压为3.8V的话，那么我PWM控制MOS管的导通有问题吗？因为从微观上看，用示波器，MOS管导通时的电压明显比3.8V要大，此时万用表测量电压可能比3.8V小，会对负载造成影响吗？ 
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首先谢谢你的回答。3Q... 自我总结一下。1、万用表测量的值本来就是等效值/有效值（或者说是平均电压），而不像示波器那样测的是实时值（更加精确）。所以对于第一个疑问，Q5的漏极电压应该以示波器测的实时值来衡量。 2、对于疑问2可以看做是电路设计缺陷造成：4.2V的锂电池电压大于LED的额定电压，在MOS管导通时将会使LED两端电压超过3.8V(与PWM方波输出的占空比无关，不能认为占空比最亮为20%时，导通电压4.2*0.8=3.3V)，负载寿命减小。。。。。 明天再继续测试加电容，看看波形。 |
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张全武5 发表于 2017-3-15 19:44 对，你把LED并联电容试试 |
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本帖最后由 张全武5 于 2017-3-20 10:02 编辑
在MOS管漏极端对地分别并上了220pF，0.01uF，22uF电容，观察漏极波形发现：220pF，方波波形未发生本质变化（因为电容太小）；0.01uF=10nF=104pF，方波波形的下降沿已发生了变化，逐渐减小PWM占空比，MOS管漏极方波下降沿逐渐变陡且最低电平电位上升（因为电容两端的电压不能发生突变，当电压有突变发生时，电容将会通过充放电的形式来阻碍电压的突变。具体分析一下为什么会出现这样的波形： 下降沿分析（MOS管由导通到截止，此时电容进行放电过程来阻碍电压的跌落）： 当PWM占空比很大时，MOS管关断的时间长，电容能进行放电的时间（正常t=RC）也长,波形相对平缓，放电至0V； 当PWM占空比很小时，MOS管关断的时间短，电容能进行放电的时间短，电容无法将自身电荷完全放掉，就储存了一定的电压，导致了最低点电压大于0V; 上升沿分析（MOS管由截止到导通，此时电容进行充电过程来阻碍电压的90度上升）： 电容的充放电时间常数t=RC可知时间长短，由于MOS管导通电阻小，导致充电时间极短，阻碍电压突变的效果不明显。但是对于放电则不同，R=1k,导致放电时间长。）. 22uF电容，会直接变成直流哦
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