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数据： CSD17556Q5B 30V N 通道 NexFET功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 数据表 (Rev. D)
此30V，1.2mΩ，5mm×6mm NexFET™功率MOSFET旨在最大限度地减小同步整流和其他功率转换应用中的损耗。 /p>
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| VDS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms) |
| IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| Package (mm) |
| VGS (V) |
| VGSTH Typ (V) |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC (A) |
| ID, package limited (A) |
| Logic Level |
| CSD17556Q5B |
|---|
| 30 |
| Single |
| 1.8 |
| 1.4 |
| 400 |
| 28.5 |
| 6.9 |
| SON5x6 |
| 20 |
| 1.4 |
| 215 |
| 100 |
| Yes |
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