完善资料让更多小伙伴认识你，还能领取20积分哦，立即完善>
数据： CSD17576Q5B 30V N 通道 NexFET功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 数据表 (Rev. A)
这款30V，1.7mΩ，SON 5 x 6mm NexFET™功率MOSFET的设计旨在追求以最大限度降低功率转换应用中的功率损耗。
所有商标均为其各自所有者的财产。
| VDS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms) |
| IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| Package (mm) |
| VGS (V) |
| VGSTH Typ (V) |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC (A) |
| ID, package limited (A) |
| Logic Level |
| CSD17576Q5B | CSD17577Q5A | CSD17581Q5A |
|---|---|---|
| 30 | 30 | 30 |
| Single | Single | Single |
| 2.9 | 5.8 | 4.2 |
| 2 | 4.2 | 3.4 |
| 400 | 280 | 256 |
| 25 | 13 | 20 |
| 5.4 | 2.8 | 4 |
| SON5x6 | SON5x6 | SON5x6 |
| 20 | 20 | 20 |
| 1.4 | 1.4 | 1.3 |
| 184 | 83 | 123 |
| 100 | 60 | 60 |
| Yes | Yes | Yes |
关注我们的微信
下载发烧友APP
电子发烧友观察
版权所有 © 湖南华秋数字科技有限公司
长沙市望城经济威廉希尔官方网站 开发区航空路6号手机智能终端产业园2号厂房3层（0731-88081133）
电子发烧友 （电路图） 湘公网安备43011202000918
工商网监
湘ICP备2023018690号-1
