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标签 > 基本半导体
深圳基本半导体有限公司是中国第三代半导体行业领军企业,专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化,在深圳坪山、深圳南山、北京亦庄、南京浦口、日本名古屋设有研发中心。
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深圳基本半导体公司成功研发沟槽型碳化硅MOSFET器件结构及制备威廉希尔官方网站
具体来说,该结构由以下几部分组成:首先是n+型碳化硅衬底,接着是n-型漂移层和n型电流传输层,这三者自下而上依次排列。在n型电流传输层的顶部,从外部向内...
第三代半导体创新企业基本半导体荣获锐湃科技2023年度优秀合作奖
近日,在锐湃科技举办的第一届供应链合作伙伴大会上,基本半导体凭借在客户端的优异表现,荣获锐湃科技颁发的“2023年度优秀合作奖”。基本半导体副总经理蔡雄...
基本半导体在NEPCON JAPAN展示碳化硅功率器件领先威廉希尔官方网站
近日,第38届日本国际电子科技博览会(NEPCON JAPAN)在东京有明国际展览中心(TOKYO BIG SIGHT)盛大举行。此次盛会,作为亚洲电子...
国芯思辰|耐压1200V的碳化硅MOSFET B1M032120HK用于充电桩电源模块上,Rds为32mΩ
随着新能源汽车的普及,充电桩也成了日常配套的生活设施。目前市面上充电桩电源模块的转换效率已经可以做到99%,对于车辆快速且高效的充电有很大的意义。然而这...
国芯思辰|对标科锐C4D30120D,40A/1200V碳化硅肖特基二极管B2D40120HC1用于机车空调升压电源
在动车或地铁中,机车空调需要有稳定的电力供电,保持车厢内的空气质量。当机车出现故障时,需要通过后备电池给空调供电。而机车中常规的后备电池电压为直流110...
国芯思辰|基本半导体碳化硅肖特基二极管B2D30120HC1可pin to pin替换科锐C4D30120D
SiC肖特基二极管具有零反向恢复电流和零正向恢复电压,散热要求低,是高频和高效率应用的理想选择。目前市场上以选用WOLFSPEED的碳化硅为主,但由于各...
2022-11-25 标签:基本半导体 638 0
国芯思辰|基本半导体650V碳化硅肖特基二极管B2D20065HC1替代C3D20065D助力1.3kW服务器电源
如图为1.3kW服务器电源电路框图,主功率框架包括EMI滤波、单相整流、PFC、半桥LLC以及同步整流等组成,输出12V电压;在PFC功率因数校正部分,...
国芯思辰|1200V/44A高性能碳化硅MOS在5-6KW车载OBC上的应用,可替代C2M0080120D
车载OBC又称车载交流充电机,安装于电动汽车上,通过插座和电缆与交流插座连接,以三相或者单相交流电源向汽车提供电源;车载OBC的优点是不管车载电池在任何...
2022-11-17 标签:基本半导体 689 0
国芯思辰|可替换C3D10065A的碳化硅肖特基二极管:基本半导体650V/10AB2D10065K1助力1KW PFC电源设计
在1KWPFC电源设计中,功率因数校正部分市场上主流的器件方案为SiMOS管:Q1\Q2、续流二极管D1/D2、升压电感L1/L2组成,为后级提供稳定的...
2022-11-15 标签:基本半导体 478 0
国芯思辰|基本半导体碳化硅MOS B1M032120HK替代C3M0032120K助力氢能源发电机,工作结温-55~175℃
氢能发电机特指以氢气为原料的发电机,原理类似传统内燃机,经过吸气、压缩、爆炸、排气过程,带动电机产生电流输出。氢能发电机是一种环保型的发电设备,具有无噪...
国芯思辰|基本半导体碳化硅肖特基二极管B2D06065E在主体为BOOST电路的PFC电路应用方案
计算机开关电源是一种电容输入型电路,其电流和电压之间的相位差会造成交换功率的损失,此时便需要PFC电路提高功率因数。目前的PFC有两种,一种为被动式PF...
国芯思辰|基本半导体650V碳化硅肖特基二极管B2D30065HC1可替代C3D30065D用于5G微基站电源
第5代通信威廉希尔官方网站 5G频率越高,穿透和绕射能力会相对下降,信号智能直射传播,很多偏僻地方就会收不到信号,微基站很好弥补了这项缺陷。微基站是一种从产品形态、发...
国芯思辰|基本半导体大电流高压碳化硅MOS B1M032120HK助力UPS电源高效化,导通电阻32mΩ
UPS电源作为日常生活中的应急备用电源,其效率要求也逐渐提高。UPS电源内部主电路拓扑多采用LLC谐振变换器,然而传统的功率MOS(超级结MOS和COO...
国芯思辰|基本半导体SiC肖特基二极管助力OBC发展,650V B1D系列可P2P替代Wolfspeed的C3D系列
采用SiC功率器件可有效提高电动汽车驱动系统,获得更高的击穿电压、更低的开启电阻、更大的热导率;并且能保证在更高温度下可以稳定工作,使电动汽车或混合动力...
国芯思辰|基本半导体碳化硅肖特基二极管B1D10120E替代C4D10120E用于IGBT钳位,反向电压1200V
在许多工业设备中通常都会采用IGBT来作为主功率器件,能够有效的减少开关损耗,提高逆变器的效率,因此为了保护IGBT能够正常稳定的工作,设计师们会给IG...
2022-10-12 标签:基本半导体 465 0
国芯思辰|基本半导体碳化硅MOSFET B1M080120HC可替代C2M0080120D降低电机驱动功率损耗,导通延迟20ns
据评估,世界上超过一半的电能消耗用于各种电动机。因此,降低电动机的功率损耗并提高电力转换的效率显得尤为重要。电动机驱动电路一般原理图本文主要讲到基本半导...
国芯思辰|基本半导体碳化硅肖特基二极管B1D40120HC替代C4D40120D用于储能双向变流器,有效提高系统功率密度
储能变流器(PCS)可控制蓄电池的充电和放电过程,进行交直流的变换,在无电网情况下可以直接为交流负荷供电。PCS由DC/AC双向变流器、控制单元等构成。...
国芯思辰|基本半导体双通道隔离栅极驱动器BTD21520替换UCC21320-Q1用于UPS电源,驱动峰值电流4.5/6A
国芯思辰接触的某工程师在做一款50KVA高频在线式UPS设计,需要在控制器的驱动信号与功率开关管之间做隔离,这里提一下国产基本半导体的双通道隔离栅极驱动...
国芯思辰|基本半导体单通道隔离栅极驱动器BTD5350替代东芝TLP350用于工业空调
在工业空调变频的过程中,通过电源滤波整流,把交流转换为直流,通过PFC的功率因子提升给到驱动电路部分,而由于IGBT的开关特性和安全工作区随着栅极IGB...
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