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标签 > 氮化镓
氮化镓,分子式GaN,英文名称Gallium nitride,是氮和镓的化合物,是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体,自1990年起常用在发光二极管中。
氮化镓,分子式GaN,英文名称Gallium nitride,是氮和镓的化合物,是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体,自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿,硬度很高。氮化镓的能隙很宽,为3.4电子伏特,可以用在高功率、高速的光电元件中,例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管,可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器(Diode-pumped solid-state laser)的条件下,产生紫光(405nm)激光。
氮化镓,分子式GaN,英文名称Gallium nitride,是氮和镓的化合物,是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体,自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿,硬度很高。氮化镓的能隙很宽,为3.4电子伏特,可以用在高功率、高速的光电元件中,例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管,可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器(Diode-pumped solid-state laser)的条件下,产生紫光(405nm)激光。
合成方法
1、即使在1000℃氮与镓也不直接反应。在氨气流中于1050~1100℃下加热金属镓30min可制得疏松的灰色粉末状氮化镓GaN。加入碳酸铵可提供气体以搅动液态金属,并促使与氮化剂的接触。
2、在干燥的氨气流中焙烧磨细的GaP或GaAs也可制得GaN。
如何使用GaN HEMT抽取Self-heating效应和Trapping效应模型参数?
氮化镓(GaN)威廉希尔官方网站 在5G基站、卫星通信、国防系统和其他应用中的迅速普及提高了晶体管建模的门槛。
CGHV40200PP氮化镓高电子迁移率晶体管规格书立即下载
类别:IC datasheet pdf 2023-08-03 标签:晶体管氮化镓
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